Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""You, Shuzhen"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics.
Autorzy :
Li, Xiangdong
Posthuma, Niels
Bakeroot, Benoit
Liang, Hu
You, Shuzhen
Wu, Zhicheng
Zhao, Ming
Groeseneken, Guido
Decoutere, Stefaan
Pokaż więcej
Temat :
PASSIVATION
DIELECTRICS
MODULATION-doped field-effect transistors
TEMPERATURE effect
GATES
LOGIC circuits
Źródło :
IEEE Transactions on Power Electronics; May2021, Vol. 36 Issue 5, p4927-4930, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
GaN power IC design using the MIT virtual source GaNFET compact model with gate leakage and VT instability effect.
Autorzy :
You, Shuzhen
Li, Xiangdong
Geens, Karen
Posthuma, Niels
Zhao, Ming
Liang, Hu
Groeseneken, Guido
Decoutere, Stefaan
Pokaż więcej
Temat :
INTEGRATED circuit design
GALLIUM nitride
LINE drivers (Integrated circuits)
SWITCHING circuits
THRESHOLD voltage
Źródło :
Semiconductor Science & Technology; Mar2021, Vol. 36 Issue 3, p1-5, 5p
Przedsiębiorstwo/ jednostka :
MASSACHUSETTS Institute of Technology
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Challenges and Perspectives for Vertical GaN-on-Si Trench MOS Reliability: From Leakage Current Analysis to Gate Stack Optimization.
Autorzy :
Mukherjee, Kalparupa
De Santi, Carlo
Borga, Matteo
Geens, Karen
You, Shuzhen
Bakeroot, Benoit
Decoutere, Stefaan
Diehle, Patrick
Hübner, Susanne
Altmann, Frank
Buffolo, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Roccaforte, Fabrizio
Pokaż więcej
Temat :
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
STRAY currents
BREAKDOWN voltage
FIELD-effect transistors
METAL oxide semiconductor field
POWER transistors
TRENCHES
Źródło :
Materials (1996-1944); May2021, Vol. 14 Issue 9, p2316-2316, 1p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies