Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""You, Shuzhen"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Understanding the Leakage Mechanisms and Breakdown Limits of Vertical GaN-on-Si p + n − n Diodes: The Road to Reliable Vertical MOSFETs.
Autorzy:
Mukherjee, Kalparupa
De Santi, Carlo
Buffolo, Matteo
Borga, Matteo
You, Shuzhen
Geens, Karen
Bakeroot, Benoit
Decoutere, Stefaan
Gerosa, Andrea
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat:
BREAKDOWN voltage
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
DIODES
LEAKAGE
GALLIUM nitride
ELECTRIC fields
Źródło:
Micromachines; Apr2021, Vol. 12 Issue 4, p445-445, 1p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies