Wszystkie pola: "Yuferev, V. S." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Carrier-Transport Processes in n-GaAs Isotype Heterostructures with a Thin Wide-Gap AlGaAs Barrier
Autorzy:: Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.
Soboleva, O. S.
Yuferev, V. S.
Golovin, V. S.
Gavrina, P. S.
Romanovich, D. N.
Miroshnikov, I. V.
Pikhtin, N. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(5):529-533

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modeling the Spatial Switch-On Dynamics of a Laser Thyristor (λ = 905 nm) Based on an AlGaAs/InGaAs/GaAs Multi-Junction Heterostructure
Autorzy:: Soboleva, O. S.
Golovin, V. S.
Yuferev, V. S.
Gavrina, P. S.
Pikhtin, N. A.
Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(5):575-580

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation
Autorzy:: Kalinovskii, V. S.
Kontrosh, E. V.
Klimko, G. V.
Ivanov, S. V.
Yuferev, V. S.
Ber, B. Y.
Kazantsev, D. Y.
Andreev, V. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(3):355-361

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Specific Features of Carrier Transport in n Structures with a GaAs/AlGaAs Heterojunction at Ultrahigh Current Densities
Autorzy:: Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.
Soboleva, O. S.
Yuferev, V. S.
Golovin, V. S.
Gavrina, P. S.
Romanovich, D. N.
Miroshnikov, I. V.
Pikhtin, N. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 53(6):806-813

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Transient switch-off of a 4H-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode
Autorzy:: Yuferev, V. S.
Levinshtein, M. E.
Ivanov, P. A.
Zhang, Jon Q.
Palmour, John W.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. September 2017 51(9):1194-1199

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Transient processes in high-voltage silicon carbide bipolar-junction transistors
Autorzy:: Yuferev, V. S.
Levinshtein, M. E.
Ivanov, P. A.
Zhang, Q. J.
Agarwal, A. K.
Palmour, J. W.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. August 2013 47(8):1068-1074

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Specific features of the steady-state carrier distribution and holding current in an optically triggered SiC thyristor
Autorzy:: Yuferev, V. S.
Levinshtein, M. E.
Palmour, J. W.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. January 2013 47(1):116-121

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Specific Features of Carrier Transport in n Structures with a GaAs/AlGaAs Heterojunction at Ultrahigh Current Densities.
Autorzy:: Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.
Soboleva, O. S.
Yuferev, V. S.
Golovin, V. S.
Gavrina, P. S.
Romanovich, D. N.
Miroshnikov, I. V.
Pikhtin, N. A.; Pokaż więcej
Temat:: DENSITY currents
CURRENT-voltage characteristics
HETEROJUNCTIONS
AUDITING standards
HETEROSTRUCTURES
PHOTOVOLTAIC cells
SILICON solar cells
Źródło:: Semiconductors; Jun2019, Vol. 53 Issue 6, p806-813, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Isotype n-AlGaAs/n-GaAs Heterostructures Optimized for Efficient Interband Radiative Recombination under Current Pumping.
Autorzy:: Soboleva, O. S. (AUTHOR)
Slipchenko, S. O. (AUTHOR)
Pikhtin, N. A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2021 Supplement 1, Vol. 55 Issue 1, pS8-S13. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Switching (Turn-on) Dynamics of Low-Voltage InP Homothyristors.
Autorzy:: Slipchenko, S. O. (AUTHOR)
Soboleva, O. S. (AUTHOR)
Podoskin, A. A. (AUTHOR)
Kirichenko, Y. K. (AUTHOR)
Bagaev, T. A. (AUTHOR)
Yarotskaya, I. V. (AUTHOR)
Pikhtin, N. A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Mar2023, Vol. 57 Issue 3, p166-171. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Annealing High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes Irradiated with Electrons at a High Temperature.
Autorzy:: Lebedev, A. A. (AUTHOR)
Kozlovski, V. V. (AUTHOR)
Levinshtein, M. E. (AUTHOR)
Malevsky, D. A. (AUTHOR)
Oganesyan, G. A. (AUTHOR)
Strel'chuk, A. M. (AUTHOR)
Davydovskaya, K. S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Mar2022, Vol. 56 Issue 3, p189-194. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: On the Current Dependence of the Injection Efficiency and the Relative Contribution of the Escape Rate and Internal Optical Loss to Saturation of the Power–Current Characteristics of High-Power Pulsed Lasers (λ = 1.06 μm).
Autorzy:: Rozhkov, A. V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p869-876. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Yuferev, V. S."" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Język

Rok publikacji