Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Yuferev, V. S."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-19 z 19
Tytuł :
Carrier-Transport Processes in n+-GaAs/n0-GaAs/n+-GaAs Isotype Heterostructures with a Thin Wide-Gap AlGaAs Barrier.
Autorzy :
Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.
Soboleva, O. S.
Yuferev, V. S.
Golovin, V. S.
Gavrina, P. S.
Romanovich, D. N.
Miroshnikov, I. V.
Pikhtin, N. A.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
IMPACT ionization
CURRENT-voltage characteristics
NUMERICAL analysis
ELECTRIC fields
Źródło :
Semiconductors; May2020, Vol. 54 Issue 5, p529-533, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation.
Autorzy :
Kalinovskii, V. S.
Kontrosh, E. V.
Klimko, G. V.
Ivanov, S. V.
Yuferev, V. S.
Ber, B. Y.
Kazantsev, D. Y.
Andreev, V. M.
Pokaż więcej
Temat :
TUNNEL diodes
LASER beams
AUDITING standards
SHORT-circuit currents
DENSITY currents
PHASE shift (Nuclear physics)
Źródło :
Semiconductors; Mar2020, Vol. 54 Issue 3, p355-361, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Specific Features of Carrier Transport in n Structures with a GaAs/AlGaAs Heterojunction at Ultrahigh Current Densities.
Autorzy :
Slipchenko, S. O.
Podoskin, A. A.
Soboleva, O. S.
Yuferev, V. S.
Golovin, V. S.
Gavrina, P. S.
Romanovich, D. N.
Miroshnikov, I. V.
Pikhtin, N. A.
Pokaż więcej
Temat :
DENSITY currents
CURRENT-voltage characteristics
HETEROJUNCTIONS
AUDITING standards
HETEROSTRUCTURES
PHOTOVOLTAIC cells
SILICON solar cells
Źródło :
Semiconductors; Jun2019, Vol. 53 Issue 6, p806-813, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
The influence of thermal screens on the temperature distribution, thermal stress, and defect structure during growth of shaped sapphire crystals.
Autorzy :
Bakholdin, S. I.
Krymov, V. M.
Nosov, Yu. G.
Shul'pina, I. L.
Denisov, A. V.
Sallum, M. I.
Vasil'ev, M. G.
Mamedov, V. M.
Yuferev, V. S.
Pokaż więcej
Temat :
THERMAL stresses
THERMAL expansion
CRYSTALLOGRAPHY
CRYSTALS
RESIDUAL stresses
Źródło :
Crystallography Reports; Jul2010, Vol. 55 Issue 4, p703-709, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Formation of the block structure during growth of basal-plane-faceted sapphire ribbons with different widths.
Autorzy :
Bakholdin, S. I.
Krymov, V. M.
Moskalev, A. V.
Nosov, Yu. G.
Shulpina, I. L.
Yuferev, V. S.
Antonov, P. I.
Pokaż więcej
Temat :
SAPPHIRES
CRYSTALLOGRAPHY
CRYSTALS
THERMOELASTICITY
SOLIDS -- Density
Źródło :
Crystallography Reports; Dec2008, Vol. 53 Issue 7, p1150-1156, 7p, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Investigation of the variations in the crystallization front shape during growth of gadolinium gallium and terbium gallium crystals by the Czochralski method.
Autorzy :
Budenkova, O. N.
Vasiliev, M. G.
Yuferev, V. S.
Ivanov, I. A.
Bul'kanov, A. M.
Kalaev, V. V.
Pokaż więcej
Temat :
CRYSTALLIZATION
CRYSTALLOGRAPHY
SEPARATION (Technology)
CRYSTALS
RADIATION
Źródło :
Crystallography Reports; Dec2008, Vol. 53 Issue 7, p1181-1190, 10p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Determination of the Supercooling Dependence of the (211) Facet of BGO Crystal on Growth Rate from the Temporal Dependence of Supercooling at a Prescribed Melt-Cooling Rate.
Autorzy :
Vasiliev, Ya. V.
Golyshev, V. D.
Gonik, M. A.
Kolesnikova, É. N.
Tsvetovskiı, V. B.
Shlegel’, V. N.
Yuferev, V. S.
Pokaż więcej
Temat :
SUPERCOOLING
CRYSTALS
BISMUTH alloys
Źródło :
Technical Physics; May2000, Vol. 45 Issue 5, p630, 3p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-19 z 19

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies