Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Zangiabadi, Amirali"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Defects in epitaxial Ru(0001) on Al2O3(0001): Dislocations, stacking faults, and deformation twins.
Autorzy :
Barmak, Katayun
Sentosun, Kadir
Zangiabadi, Amirali
Milosevic, Erik
Gall, Daniel
Zecevic, Miroslav
Lebensohn, Ricardo A.
Floro, Jerrold A.
Pokaż więcej
Temat :
STRESS relaxation (Mechanics)
SAPPHIRES
TWINS
DISLOCATIONS in crystals
THICK films
TRANSMISSION electron microscopy
LATTICE constants
Źródło :
Journal of Applied Physics; 7/28/2020, Vol. 128 Issue 4, p1-15, 15p, 6 Diagrams, 4 Charts, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Damage-Free Atomic Layer Etch of WSe2: A Platform for Fabricating Clean Two-Dimensional Devices.
Autorzy :
Nipane, Ankur
Choi, Min Sup
Sebastian, Punnu Jose
Yao, Kaiyuan
Borah, Abhinandan
Deshmukh, Prathmesh
Jung, Younghun
Kim, Bumho
Rajendran, Anjaly
Kwock, Kevin W. C.
Zangiabadi, Amirali
Menon, Vinod M.
Schuck, P. James
Yoo, Won Jong
Hone, James
Teherani, James T.
Pokaż więcej
Źródło :
ACS Applied Materials & Interfaces; 1/13/2021, Vol. 13 Issue 1, p1930-1942, 13p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In2O3) Channel and Anodized High-κ Al2O3 Dielectric
Autorzy :
Bhalerao, Sagar R.
Lupo, Donald
Zangiabadi, Amirali
Kymissis, Ioannis
Leppaniemi, Jaakko
Alastalo, Ari
Berger, Paul R.
Pokaż więcej
Temat :
anodization
indium oxide (InO)
interface state density
low voltage
Metal oxide semiconductors
solution processing
TFT
fi/minedu/virta/publicationtypes/a1
A1 Refereed journal article
fi/minedu/virta/openaccess/0
0 Not Open Access
fi/minedu/virta/scienceareas/213
213 Electronics, automation, information engineering
fi/minedu/virta/scienceareas/216
216 Materials engineering
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Electrical and Electronic Engineering
Źródło :
Bhalerao, S R, Lupo, D, Zangiabadi, A, Kymissis, I, Leppaniemi, J, Alastalo, A & Berger, P R 2019, ' 0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In 2 O 3 ) Channel and Anodized High-κ Al 2 O 3 Dielectric ', IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 7, 8720175, pp. 1112-1115 . https://doi.org/10.1109/LED.2019.2918492

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies