Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Zanoni, Enrico"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-19 z 19
    Tytuł:
    Laser-Based Lighting: Experimental Analysis and Perspectives.
    Autorzy:
    Trivellin, Nicola
    Yushchenko, Maksym
    Buffolo, Matteo
    De Santi, Carlo
    Meneghini, Matteo
    Meneghesso, Gaudenzio
    Zanoni, Enrico
    Pokaż więcej
    Temat:
    LIGHT emitting diodes
    SEMICONDUCTOR lasers
    HIGH temperatures
    PHOSPHORS
    GALLIUM nitride
    PHOTOLUMINESCENCE
    YTTRIUM aluminum garnet
    Źródło:
    Materials (1996-1944); Oct2017, Vol. 10 Issue 10, p1166, 18p, 2 Color Photographs, 8 Diagrams, 11 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Inactivating SARS-CoV-2 Using 275 nm UV-C LEDs through a Spherical Irradiation Box: Design, Characterization and Validation.
    Autorzy:
    Trivellin, Nicola
    Buffolo, Matteo
    Onelia, Francesco
    Pizzolato, Alberto
    Barbato, Marco
    Orlandi, Viviana Teresa
    Del Vecchio, Claudia
    Dughiero, Fabrizio
    Zanoni, Enrico
    Meneghesso, Gaudenzio
    Crisanti, Andrea
    Meneghini, Matteo
    Tuchin, Valery V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    SARS-CoV-2
    IRRADIATION
    COVID-19
    Źródło:
    Materials (1996-1944); May2021, Vol. 14 Issue 9, p2315-2315, 1p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Understanding the Leakage Mechanisms and Breakdown Limits of Vertical GaN-on-Si p + n − n Diodes: The Road to Reliable Vertical MOSFETs.
    Autorzy:
    Mukherjee, Kalparupa
    De Santi, Carlo
    Buffolo, Matteo
    Borga, Matteo
    You, Shuzhen
    Geens, Karen
    Bakeroot, Benoit
    Decoutere, Stefaan
    Gerosa, Andrea
    Meneghesso, Gaudenzio
    Zanoni, Enrico
    Meneghini, Matteo
    Pokaż więcej
    Temat:
    BREAKDOWN voltage
    METAL oxide semiconductor field-effect transistors
    DIODES
    LEAKAGE
    GALLIUM nitride
    ELECTRIC fields
    Źródło:
    Micromachines; Apr2021, Vol. 12 Issue 4, p445-445, 1p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-19 z 19

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies