Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Zegaoui, Malek"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
The Effects of AlN and Copper Back Side Deposition on the Performance of Etched Back GaN/Si HEMTs
Autorzy :
Pavlidis, Georges
Kim, Samuel
Abid, Idriss
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Graham, Samuel
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
IEEE Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 40 (7), pp.1060-1063. ⟨10.1109/LED.2019.2915984⟩
Tytuł :
Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices
Autorzy :
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Renso, Nicola
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (11), pp.111002. ⟨10.7567/APEX.11.111002⟩
Tytuł :
Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE
Autorzy :
Rennesson, Stéphanie
Leroux, Mathieu
Al khalfioui, Mohamed
Nemoz, Maud
Chenot, Sebastien
Massies, Jean
Largeau, Ludovic
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Semond, Fabrice
Pokaż więcej
Temat :
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Źródło :
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2018, 215 (9), pp.1700640. ⟨10.1002/pssa.201700640⟩
Tytuł :
GaN-on-silicon high-electron-mobility transistor technology with ultra-low leakage up to 3000 V using local substrate removal and AlN ultra-wide bandgap
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (3), pp.034102. ⟨10.7567/APEX.11.034102⟩
Tytuł :
Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors
Autorzy :
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Caria, Alessandro
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Gallium Nitride Materials and Devices XIII
Gallium Nitride Materials and Devices XIII, Jan 2018, San Francisco, France. pp.54, ⟨10.1117/12.2289466⟩
Tytuł :
Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors
Autorzy :
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Caria, Alessandro
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
Gallium Nitride Materials and Devices XIII, Jan 2018, San Francisco, France. pp.54, ⟨10.1117/12.2289466⟩
Gallium Nitride Materials and Devices XIII
Tytuł :
Theoretical and experimental study of a thermal damper based on a CNT/PCM composite structure for transient electronic cooling
Autorzy :
Kinkelin, Christophe
Lips, Stéphane
Soupremanien, Ulrich
Remondière, Vincent
Dijon, Jean
Poche, Hélène Le
Ollier, Emmanuel
Zegaoui, Malek
Rolland, Nathalie
Rolland, Paul-Alain
Lhostis, Sandrine
Descouts, Brigitte
Kaplan, Yann
Lefèvre, Frédéric
Pokaż więcej
Temat :
thermal energy storage
interfacial thermal resistance
[PHYS.MECA.THER]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Thermics [physics.class-ph]
transient electronic cooling
vertically aligned carbon nanotubes
Phase change material
Źródło :
Energy Conversion and Management
Energy Conversion and Management, Elsevier, 2017, 142, pp.257-271. ⟨10.1016/j.enconman.2017.03.034⟩
Tytuł :
Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors
Autorzy :
Herbecq, Nicolas
Roch-Jeune, Isabelle
Linge, Astrid
Zegaoui, Malek
Jeannin, Pierre-Olivier
Rouger, Nicolas
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Źródło :
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 213 (4), pp.873--877. ⟨10.1002/pssa.201532572⟩
Tytuł :
Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors
Autorzy :
Herbecq, Nicolas
Roch-Jeune, Isabelle
Linge, Astrid
Zegaoui, Malek
Jeannin, Pierre-Olivier
Rouger, Nicolas
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Źródło :
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 213 (4), pp.873--877. ⟨10.1002/pssa.201532572⟩
Tytuł :
Thermal management of electronic devices by composite materials integrated in silicon
Autorzy :
Ollier, Emmanuel
Soupremanien, U.
REMONDIERE, V.
Dijon, J.
Le Poche, H.
SEILER, A.L.
Lefevre, F.
Lips, S.
Kinkelin, K.
Rolland, Nathalie
Rolland, Paul-Alain
Zegaoui, Malek
Lhostis, S.
Ancey, P.
Descouts, B.
Kaplan, Y.
Pokaż więcej
Temat :
carbon nanotubes
phase change materials
thermal management
interposer
Źródło :
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2014, 127, pp.28-33. ⟨10.1016/j.mee.2014.03.016⟩
Microelectronic Engineering
Tytuł :
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs.
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Kabouche, Riad
Linge, Astrid
Okada, Etienne
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
ELECTRON energy band gaps
PERFORMANCE evaluation
ELECTRIC fields
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2017, Vol. 214 Issue 8, pn/a-N.PAG, 4p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies