Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Zha F"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence.
Autorzy :
Xiren Chen
Junliang Xing
Liangqing Zhu
Zha, F. -X.
Zhichuan Niu
Shaoling Guo
Jun Shao
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
INDIUM arsenide
ALUMINUM antimonide
GALLIUM arsenide
MAGNETIC field effects
PHOTOLUMINESCENCE
HIGH temperatures
INTERFACES (Physical sciences)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/7/2016, Vol. 119 Issue 17, p1-8, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Photoluminescence probing of interface evolution with annealing in InGa(N)As/GaAs single quantum wells.
Autorzy :
Jun Shao
Zhen Qi
Zhao, H.
Liang Zhu
Yuxin Song
Xiren Chen
Zha, F.-X.
Shaoling Guo
Wang, S. M.
Pokaż więcej
Temat :
PHOTOLUMINESCENCE
ANNEALING of metals
SEMICONDUCTOR quantum wells
INDIUM gallium arsenide
MAGNETIC fields
SIGNAL-to-noise ratio
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 16, p165305-1-165305-10, 10p, 4 Charts, 10 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies