Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Zhang, X. Y."" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Simulation of V/G During Φ450 mm Czochralski Grown Silicon Single Crystal Growth Under the Different Crystal and Crucible Rotation Rates.
Autorzy:
GUAN, X. J.
ZHANG, X. Y.
Pokaż więcej
Źródło:
MATEC Web of Conferences; 7/29/2016, Vol. 67, p1-6, 6p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies