- Tytuł:
- Simulation of V/G During Φ450 mm Czochralski Grown Silicon Single Crystal Growth Under the Different Crystal and Crucible Rotation Rates.
- Autorzy:
- Źródło:
- MATEC Web of Conferences; 7/29/2016, Vol. 67, p1-6, 6p
Konferencja
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.