Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Zhang SB"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    A Quantum secure sharing protocol for Cloud data based on proxy re-encryption.
    Autorzy:
    Chang Y; School of Cybersecurity, Chengdu University of Information Technology, Chengdu, 610225, China. .
    Zhang SB; School of Cybersecurity, Chengdu University of Information Technology, Chengdu, 610225, China.
    Yan LL; School of Cybersecurity, Chengdu University of Information Technology, Chengdu, 610225, China.
    Wan GG; School of Cybersecurity, Chengdu University of Information Technology, Chengdu, 610225, China.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2020 Jun 03; Vol. 10 (1), pp. 9074. Date of Electronic Publication: 2020 Jun 03.
    Typ publikacji:
    Journal Article
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Multiple functions of volatiles in flowers and leaves of Elsholtzia rugulosa (Lamiaceae) from southwestern China.
    Autorzy:
    Zhang FP; Key Laboratory of Economic Plants and Biotechnology, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.; Yunnan Key Laboratory for Research and Development of Wild Plant Resources, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.
    Yang QY; Key Laboratory of Economic Plants and Biotechnology, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.; Yunnan Key Laboratory for Research and Development of Wild Plant Resources, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.
    Wang G; Key Laboratory of Tropical Forest Ecology, Xishuangbanna Tropical Botanical Garden, Chinese Academy of Sciences, Mengla, 666303, Yunnan, China.
    Zhang SB; Key Laboratory of Economic Plants and Biotechnology, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.; Yunnan Key Laboratory for Research and Development of Wild Plant Resources, Kunming Institute of Botany, Chinese Academy of Sciences, Kunming 650201, Yunnan, China.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2016 Jun 09; Vol. 6, pp. 27616. Date of Electronic Publication: 2016 Jun 09.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, Non-U.S. Gov't
    MeSH Terms:
    Bees*
    Coleoptera*
    Odorants*
    Wasps*
    Lamiaceae/*chemistry
    Volatile Organic Compounds/*chemistry
    Animals ; Behavior, Animal ; China ; Flowers/chemistry ; Gas Chromatography-Mass Spectrometry ; Ketones/chemistry ; Plant Leaves/chemistry ; Pollination
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Vacancy Structures and Melting Behavior in Rock-Salt GeSbTe.
    Autorzy:
    Zhang B; Beijing Key Laboratory and Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China.
    Wang XP; State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China.
    Shen ZJ; Center of Electron Microscopy and State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China.
    Li XB; State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China.
    Wang CS; Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China.
    Chen YJ; Beijing Key Laboratory and Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China.
    Li JX; Center of Electron Microscopy and State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China.
    Zhang JX; Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China.
    Zhang Z; Beijing Key Laboratory and Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China.; Center of Electron Microscopy and State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China.
    Zhang SB; State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China.; Department of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA.
    Han XD; Beijing Key Laboratory and Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2016 May 03; Vol. 6, pp. 25453. Date of Electronic Publication: 2016 May 03.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, Non-U.S. Gov't
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Carrier-induced transient defect mechanism for non-radiative recombination in InGaN light-emitting devices.
    Autorzy:
    Bang J; Department of Physics, Applied Physics &Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA.; Spin Engineering Physics Team, Korea Basic Science Institute (KBSI), Daejeon 305-806, South Korea.
    Sun YY; Department of Physics, Applied Physics &Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA.
    Song JH; 182 Shingwan, Department of Physics, Kongju National University, Kongju Chungnam 314-701, South Korea.
    Zhang SB; Department of Physics, Applied Physics &Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2016 Apr 14; Vol. 6, pp. 24404. Date of Electronic Publication: 2016 Apr 14.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, Non-U.S. Gov't; Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Edge states and integer quantum Hall effect in topological insulator thin films.
    Autorzy:
    Zhang SB; Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China.
    Lu HZ; Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China.
    Shen SQ; Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2015 Aug 25; Vol. 5, pp. 13277. Date of Electronic Publication: 2015 Aug 25.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, Non-U.S. Gov't
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies