- Tytuł:
- Ultrafine Vacancy-Rich Nb2O5 Semiconductors Confined in Carbon Nanosheets Boost Dielectric Polarization for High-Attenuation Microwave Absorption
- Autorzy:
- Temat:
-
Electromagnetic wave absorption
Nb2O5 semiconductor
Dielectric polarization loss
Oxygen vacancy
Nb2O5– carbon hetero-interface
Technology - Źródło:
- Nano-Micro Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-16 (2023)
- Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
- https://doaj.org/toc/2311-6706; https://doaj.org/toc/2150-5551
- Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/3d6e9b8797d84b54a2031cca829f3311  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe