Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""electron transfer processes"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 322
Tytuł:
Simulation of electron transfer processes in a semiconductor structure using graphene and boron nitride
Autorzy:
V. V. Muravyov
V. N. Mishchenka
Pokaż więcej
Temat:
graphene
boron nitride
electron transfer processes
monte – carlo method
Electronics
TK7800-8360
Źródło:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 18, Iss 7, Pp 71-78 (2020)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2902; https://doaj.org/toc/1729-7648
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/39362e1ff62940cf82d37efb3956fcd1  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
THE INTENSITY OF SCATTERING OF CHARGE CARRIERS IN GRAPHENE, LOCATED ON A SUBSTRATE OF HEXAGONAL BORON NITRIDE
Autorzy:
V. V. Muraviev
V. N. Mishchenko
Pokaż więcej
Temat:
graphene
boron nitride
semiconductor structure
scattering intensity
electron transfer processes
monte – carlo method
Electronics
TK7800-8360
Źródło:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7-8, Pp 141-148 (2019)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2491; https://doaj.org/toc/1729-7648
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/b8b42b9d18c24d19b5e51bc3f9dca1a6  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures
Autorzy:
V. V. Murav'ev
V. N. Mishchenka
Pokaż więcej
Temat:
silicon carbide
electron transfer processes
monte carlo method
Electronics
TK7800-8360
Źródło:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 2, Pp 53-57 (2019)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1079; https://doaj.org/toc/1729-7648
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/d857792bfe824bd590391588e2be8fa8  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene
Autorzy:
V. V. Murav'ev
V. N. Mishchenka
Pokaż więcej
Temat:
graphene
silicon carbide
electron transfer processes
monte carlo method
Electronics
TK7800-8360
Źródło:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 8, Pp 55-62 (2019)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1132; https://doaj.org/toc/1729-7648
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/bd9734098b054935b18bb78b64afca85  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Contributions in organic functional group transformations and photochemical and photophysical studies of selective organic substrates
Autorzy:
George, Manapurathu Verghese
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Chemical Sciences: [Formerly: Proceedings (Chemical Sciences)]. August 2003 115(4):225-239
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 322

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies