Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""multiple gate"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 111
Tytuł:
2-D Design of Double Gate Schottky Tunnel MOSFET for High-Performance Use in Analog/RF Applications
Autorzy:
Shazia Rashid
Faisal Bashir
Farooq A. Khanday
M. Rafiq Beigh
Fawnizu Azmadi Hussin
Pokaż więcej
Temat:
2D devices
multiple gate devices
RF applications
Schottky MOSFET
tunnel FET
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Access, Vol 9, Pp 80158-80169 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9440975/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/f94788d60ed4442db44ae3dbc3ad78dd  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
COMPARATIVE ANALYSIS OF QUANTUM EFFECTS IN NANOSCALE MULTIGATE MOSFETS USING VARIATIONAL APPROACH
Autorzy:
V. PALANICHAMY
N.B. BALAMURUGAN
Pokaż więcej
Temat:
Multiple gate MOSFETs
Quantum effects
Centroid
Inversion charge density
Drain current
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Technology (General)
T1-995
Źródło:
Journal of Engineering Science and Technology, Vol 10, Iss 2, Pp 224-234 (2015)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
http://jestec.taylors.edu.my/Vol%2010%20issue%202%20February%202015/Volume%20(10)%20Issue%20(2)%20224-234.pdf; https://doaj.org/toc/1823-4690
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/865f9cc847184e9590f398c625914409  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Exploring the Asymmetric Characteristics of a Double Gate MOSFET with Linearly Graded Binary Metal Alloy Gate Electrode for Enhanced Performance.
Autorzy:
Bagga, Navjeet
Sarkhel, Saheli
Sarkar, Subir Kumar
Pokaż więcej
Temat:
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ELECTRODES
ALLOYS
MULTIPLE gate field-effect transistors
BINARY metallic systems
Źródło:
IETE Journal of Research; Dec2016, Vol. 62 Issue 6, p786-794, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
On the Evolution of SOI Materials and Devices
Autorzy:
Colinge, Jean-Pierre
Pokaż więcej
Źródło:
Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment Kiev, Ukraine 26–30 April 2004. 185:11-26
Książka elektroniczna
Szczegóły
Tytuł:
Performance enhancement of multiple-gate ZnO metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated using self-aligned and laser interference photolithography techniques
Autorzy:
Lee, Hsin-Ying
Huang, Hung-Lin
Tseng, Chun-Yen
Pokaż więcej
Źródło:
Nanoscale Research Letters. December 2014 9(1):1-6
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Accurate Leakage/Delay Estimation for FinFET Standard Cells under PVT Variations using the Response Surface Methodology.
Autorzy:
CHAUDHURI, SOURINDRA M.
MISHRA, PRATEEK
JHA, NIRAJ K.
Pokaż więcej
Temat:
MULTIPLE gate field-effect transistors
RESPONSE surfaces (Statistics)
ENERGY conservation
COST effectiveness
ELECTRONIC circuit design
Źródło:
ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems; Oct2014, Vol. 11 Issue 2, p19-19:20, 20p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Comparison of the scaling characteristics of nanoscale SOI N-channel multiple-gate MOSFETs
Autorzy:
Breed, Aniket A.
Roenker, Kenneth P.
Pokaż więcej
Źródło:
Analog Integrated Circuits and Signal Processing: An International Journal. August 2008 56(1-2):135-141
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 111

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies