Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""standards"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Interference and electro-optical effects in cubic GaN/GaAs heterostructures prepared by molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Zendejas-Leal, B. E.
Casallas-Moreno, Y. L.
Yee-Rendon, C. M.
González-Pedreros, G. I.
Santoyo-Salazar, J.
Aguilar-Hernández, J. R.
Vázquez-López, C.
Gallardo-Hernández, S.
Huerta-Ruelas, J.
López-López, M.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 9/28/2020, Vol. 128 Issue 12, p1-7, 7p
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRO-optical effects
AUDITING standards
THERMO-optical effects
HETEROSTRUCTURES
OPTICAL interference
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Epitaxial Al/GaAs/Al tri-layers fabricated using a novel wafer-bonding technique.
Autorzy :
McFadden, Anthony P.
Goswami, Aranya
Seas, Michael
McRae, Corey Rae H.
Zhao, Ruichen
Pappas, David P.
Palmstrøm, Christopher J.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 9/21/2020, Vol. 128 Issue 11, p1-8, 8p
Temat :
REFLECTION high energy electron diffraction
ELECTRON diffraction
AUDITING standards
MOLECULAR beam epitaxy
X-ray photoelectron spectroscopy
ATOMIC force microscopy
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effectiveness of AlGaAs barrier layers as a redistribution channel of photoexcited carriers on anomalous temperature dependence of photoluminescence properties of GaAs quantum dots.
Autorzy :
Miyauchi, Yudai
Ikari, Tetsuo
Mano, Takaaki
Noda, Takeshi
Fukuyama, Atsuhiko
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 8/7/2020, Vol. 128 Issue 5, p1-9, 9p, 2 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
Temat :
QUANTUM dots
INDIUM gallium arsenide
RATE equation model
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE
LOW temperatures
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Revisiting heat treatment and surface activation of GaAs photocathodes: In situ studies using scanning tunneling microscopy and photoelectron spectroscopy.
Autorzy :
Biswas, Jyoti
Cen, Jiajie
Gaowei, Mengjia
Rahman, Omer
Liu, Wei
Tong, Xiao
Wang, Erdong
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 7/28/2020, Vol. 128 Issue 4, p1-12, 12p, 3 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Temat :
SCANNING tunneling microscopy
PHOTOELECTRON spectroscopy
PHOTOCATHODES
SURFACE preparation
HEAT treatment
AUDITING standards
ELECTRON tunneling
Czasopismo naukowe
Tytuł :
InGaAs/AlAs/GaAs metamorphic asymmetric spacer layer tunnel (mASPAT) diodes for microwaves and millimeter-waves detection.
Autorzy :
Salhi, A.
Sexton, J.
Muttlak, S. G.
Abdulwahid, O.
Hadfield, A.
Missous, M.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/21/2020, Vol. 127 Issue 19, p1-6, 6p, 1 Diagram, 2 Charts, 4 Graphs
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
AUDITING standards
DIODES
INDIUM gallium arsenide
MICROWAVE detectors
TUNNELS
GALLIUM arsenide
EPITAXIAL layers
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide.
Autorzy :
Chernov, M. Yu.
Solov'ev, V. A.
Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Andreev, A. D.
Sitnikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/31/2020, Vol. 127 Issue 12, p1-6, 6p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 2 Charts, 3 Graphs
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
LUMINESCENCE
GALLIUM antimonide
AUDITING standards
QUANTUM wells
INFRARED spectroscopy
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE.
Autorzy :
Alghamdi, Haifa
Gordo, Vanessa Orsi
Schmidbauer, Martin
Felix, Jorlandio F.
Alhassan, Sultan
Alhassni, Amra
Prando, Gabriela Augusta
Coelho-Júnior, Horácio
Gunes, Mustafa
Galeti, Helder Vinicius Avanço
Gobato, Yara Galvão
Henini, Mohamed
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/31/2020, Vol. 127 Issue 12, p1-10, 10p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs
Temat :
THERMO-optical effects
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTICAL properties
RAPID thermal processing
AUDITING standards
SCATTERING (Mathematics)
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Time-resolved photoluminescence characterization of InGaAs/GaAs nano-ridges monolithically grown on 300 mm Si substrates.
Autorzy :
Shi, Yuting
Kreuzer, Lisa C.
Gerhardt, Nils C.
Pantouvaki, Marianna
Van Campenhout, Joris
Baryshnikova, Marina
Langer, Robert
Van Thourhout, Dries
Kunert, Bernardette
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/14/2020, Vol. 127 Issue 10, p1-8, 8p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Temat :
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVE medium
SEMICONDUCTOR lasers
DISLOCATION density
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies