Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""standards"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Time-resolved photoluminescence characterization of InGaAs/GaAs nano-ridges monolithically grown on 300 mm Si substrates.
Autorzy :
Shi, Yuting
Kreuzer, Lisa C.
Gerhardt, Nils C.
Pantouvaki, Marianna
Van Campenhout, Joris
Baryshnikova, Marina
Langer, Robert
Van Thourhout, Dries
Kunert, Bernardette
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/14/2020, Vol. 127 Issue 10, p1-8, 8p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Temat :
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVE medium
SEMICONDUCTOR lasers
DISLOCATION density
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Evolution of InAs quantum dots and wetting layer on GaAs (001): Peculiar photoluminescence near onset of quantum dot formation.
Autorzy :
Kumar, Rahul
Maidaniuk, Yurii
Saha, Samir K.
Mazur, Yuriy I.
Salamo, Gregory J.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-7, 7p, 3 Diagrams, 4 Graphs
Temat :
QUANTUM dots
PHOTOLUMINESCENCE
AUDITING standards
QUANTUM dot synthesis
EXCITON theory
EVOLUTION (Biology)
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatible gallium arsenide metal-semiconductor-metal photodetectors (GaAs MSMPDs) on silicon using ultra-thin germanium buffer layer for visible photonic applications.
Autorzy :
Dushaq, Ghada
Nayfeh, Ammar
Rasras, Mahmoud
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 11/21/2019, Vol. 126 Issue 19, pN.PAG-N.PAG, 10p, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs
Temat :
COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors
BUFFER layers
GALLIUM arsenide
AUDITING standards
ORGANIC semiconductors
METAL semiconductor field-effect transistors
CHEMICAL vapor deposition
SEMIMETALS
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dislocation reduction in AlInSb mid-infrared photodiodes grown on GaAs substrates.
Autorzy :
Fujita, H.
Nakayama, M.
Morohara, O.
Geka, H.
Sakurai, Y.
Nakao, T.
Yamauchi, T.
Suzuki, M.
Shibata, Y.
Kuze, N.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 10/7/2019, Vol. 126 Issue 13, pN.PAG-N.PAG, 7p, 5 Diagrams, 4 Graphs
Temat :
PHOTODIODES
AUDITING standards
STRAIN energy
ENERGY density
DISLOCATION density
OPTICAL properties
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies