Temat: "technology computer-aided design simulation" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modelling of nanowall-based CdS/CdTe solar cells with embedded gold nanorods using TCAD simulation
Autorzy:: Rahamathulla, Mohammedasif
Kumar, DineshAff1, IDs41939023003221_cor2
Ramasesha, Sheela K.
Cherusseri, Jayesh; Pokaż więcej
Źródło:: Multiscale and Multidisciplinary Modeling, Experiments and Design. :1-9

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Prediction of Statistical Distribution on Nanosheet FET by Geometrical Variability Using Various Machine Learning Models
Autorzy:: Jonghyeon Ha
Sun Jin Kim
Minji Bang
Gyeongyeop Lee
Minki Suh
Minseob Shim
Chong-Eun Kim
Jungsik Kim; Pokaż więcej
Temat:: Nanosheet field-effect transistor
prediction
statistical analysis
technology computer-aided design simulation
machine learning
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 11, Pp 125217-125225 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10310203/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/a626e265d20d48678b902a41f2eb5a56 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Impact of Displacement Defect Owing to Cosmic Rays on Three-Nanometer-Node Nanosheet FET 6T Static Random Access Memory
Autorzy:: Jonghyeon Ha
Minji Bang
Gyeongyeop Lee
Minki Suh
Chong-Eun Kim
Jungsik Kim; Pokaż więcej
Temat:: Displacement defect (DD)
radiation effects
reliability
nanosheet FET (NSFET)
static random access memory (SRAM)
technology computer-aided design simulation (TCAD)
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 11, Pp 97682-97688 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10239131/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/4cefa3d3bcba4d04bbd2f873e88403cf Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Integrate-and-Fire Neuron Circuit Without External Bias Voltages
Autorzy:: Young-Soo Park
Sola Woo
Doohyeok Lim
Kyoungah Cho
Sangsig Kim; Pokaż więcej
Temat:: p-n-p-n diode
technology computer-aided design simulation
latch-up phenomenon
integrate-and-fire neuron
spiking neural networks
absence of external bias lines
Neurosciences. Biological psychiatry. Neuropsychiatry
RC321-571
Źródło:: Frontiers in Neuroscience, Vol 15 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fnins.2021.644604/full; https://doaj.org/toc/1662-453X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/efe9b2c98bca4414b19e98b1912d93be Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The Study of the Single Event Effect in AlGaN/GaN HEMT Based on a Cascode Structure
Autorzy:: Yanan Liang
Rui Chen
Jianwei Han
Xuan Wang
Qian Chen
Han Yang; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN HEMT
cascode structure
single event effects
technology computer-aided design simulation
heavy-ion irradiation experiment
Electronics
TK7800-8360
Źródło:: Electronics, Vol 10, Iss 440, p 440 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2079-9292/10/4/440; https://doaj.org/toc/2079-9292
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/9bb1c4d0c89943b3ab7ff8564a4fa6f4 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Numerical Optimization of Gradient Bandgap Structure for CIGS Solar Cell with ZnS Buffer Layer Using Technology Computer-Aided Design Simulation
Autorzy:: Joonghyun Park
Myunghun Shin; Pokaż więcej
Temat:: CIGS (copper indium gallium selenide)
band structure
double graded bandgap
TCAD (technology computer-aided design) simulation
carrier transportation
Technology
Źródło:: Energies, Vol 11, Iss 7, p 1785 (2018)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.mdpi.com/1996-1073/11/7/1785; https://doaj.org/toc/1996-1073
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/3faf3b8b618242889ad5c96df75b0d87 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""technology computer-aided design simulation"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język