Wszystkie pola: "Bayazitov, R. M." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Pulsed Ion-Beam Treatment of Germanium Implanted by Antimony Ions
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Novikov, G. A.
Shustov, V. A.
Lyadov, N. M.
Novikov, A. V.
Bushuikin, P. A.
Baidakova, N. A.
Drozdov, M. N.
Yunin, P. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55(5):423-430

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Nanosecond-Pulse Annealing of Heavily Doped Ge:Sb Layers on Ge Substrates
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Novikov, H. A.
Faizrakhmanov, I. A.
Shustov, V. A.
Ivlev, G. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. 47(5):354-363

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Fabrication of composite based on GeSi with Ag nanoparticles using ion implantation
Autorzy:: Batalov, R. I.
Vorobev, V. V.
Nuzhdin, V. I.
Valeev, V. F.
Bayazitov, R. M.
Lyadov, N. M.
Osin, Yu. N.
Stepanov, A. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. December 2016 61(12):1861-1867

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire, and quartz substrates: Structure and optical properties
Autorzy:: Novikov, H. A.
Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Faizrakhmanov, I. A.
Lyadov, N. M.
Shustov, V. A.
Galkin, K. N.
Galkin, N. G.
Chernev, I. M.
Ivlev, G. D.
Prokop’ev, S. L.
Gaiduk, P. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2015 49(6):729-735

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Optical diagnostics of the laser-induced phase transformations in thin germanium films on silicon, sapphire, and fused silica
Autorzy:: Novikov, H. A.
Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Faizrakhmanov, I. A.
Ivlev, G. D.
Prokop’ev, S. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. March 2015 60(3):406-412

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Anisotropic Melting of Semiconductors at Irradiation by Powerful Light Pulses
Autorzy:: Fattakhov, Ya. V.
Bayazitov, R. M.
Khaibullin, I. B.
L’Vova, T. N.; Pokaż więcej
Źródło:: High Power Lasers — Science and Engineering. 7:533-548

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Pulsed nanosecond annealing of magnesium-implanted silicon
Autorzy:: Galkin, N. G.
Vavanova, S. V.
Galkin, K. N.
Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Nuzhdin, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. January 2013 58(1):94-99

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of Cr ion implantation and pulsed ion-beam annealing on the formation and optical properties of Si/CrSi2/Si(111) heterostructures
Autorzy:: Galkin, N. G.
Goroshko, D. L.
Galkin, K. N.
Vavanova, S. V.
Petrushkin, I. A.
Maslov, A. M.
Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Shustov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. July 2010 55(7):1036-1044

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Features of the pulsed treatment of silicon layers implanted with erbium ions
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Nurutdinov, R. M.
Kryzhkov, D. I.
Gaiduk, P. I.
Marques, C. P.
Alves, E.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. August 2009 3(4):604-607

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Phase transitions in erbium-doped silicon exposed to laser radiation
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Kryzhkov, D. I.
Gajduk, P. I.
Gatskevich, E. I.
Ivlev, G. D.
Marques, C. P.
Alves, E.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Applied Spectroscopy. March 2009 76(2):209-214

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Epitaxial growth of silicon on silicon implanted with iron ions and optical properties of resulting structures
Autorzy:: Galkin, G. G.
Goroshko, D. L.
Chusovitin, E. A.
Polyarnyi, V. O.
Bayazitov, R. M.
Batalov, R. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. February 2008 53(2):224-230

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Structure, impurity composition, and photoluminescence of mechanically polished layers of single-crystal silicon
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Khusnullin, N. M.
Terukov, E. I.
Kudoyarova, V. Kh.
Mosina, G. N.
Andreev, B. A.
Kryzhkov, D. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. January 2005 47(1):1-4

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: A pulsed synthesis of β-FeSi2 layers on silicon implanted with Fe ions
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Terukov, E. I.
Kudoyarova, V. Kh.
Weiser, G.
Kuehne, H.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. November 2001 35(11):1263-1269

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: X-ray and luminescent analysis of finely dispersed β-FeSi2 films formed in Si by pulsed ion-beam treatment
Autorzy:: Bayazitov, R. M.
Batalov, R. I.
Terukov, E. I.
Kudoyarova, V. Kh.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2001 43(9):1633-1636

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Characteristics of the structural properties and the electric conductivity in LaSrAl1−x NixO4 ceramics caused by the Jahn-Teller effect
Autorzy:: Ivanova, T. A.
Yablokov, Yu. V.
Zinatullina, N. S.
Bayazitov, R. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. March 1999 41(3):375-378