Wszystkie pola: "Bouchier, D." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Anti-charging process for electron beam observation and lithography
Autorzy:: Aassime, A.
Hamouda, F.
Richardt, I.
Bayle, F.
Pillard, V.
Lecoeur, P.
Aubert, P.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering October 2013 110:320-323

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Nanoscale concentration and strain distribution in pseudomorphic films Si1−xGex/Si processed by pulsed laser induced epitaxy
Autorzy:: Vincent, L.
Fossard, F.
Kociniewski, T.
Largeau, L.
Cherkashin, N.
Hÿtch, M.J.
Debarre, D.
Sauvage, T.
Claverie, A.
Boulmer, J.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Applied Surface Science 15 September 2012 258(23):9208-9212

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Size effect on Ge nanowires growth kinetics by the vapor–liquid–solid mechanism
Autorzy:: Renard, C.
Boukhicha, R.
Gardès, C.
Fossard, F.
Yam, V.
Vincent, L.
Bouchier, D.
Hajjar, S.
Bubendorff, J.L.
Garreau, G.
Pirri, C.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 1 February 2012 520(8):3314-3318

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Polarized Raman Spectroscopy of Single Layer and Multilayer Ge/Si(001) Quantum Dot Heterostructures
Autorzy:: Baranov, A. V.
Perova, T. S.Aff3, Aff4
Solosin, S.
Moore, R. A.
Yam, V.
Le Thanh, V.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Frontiers of Multifunctional Integrated Nanosystems. 152:139-152

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Synthesis of strained SiGe on Si(100) by pulsed laser induced epitaxy
Autorzy:: Kociniewski, T.
Fossard, F.
Boulmer, J.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2010 518(9):2542-2545

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Structural, Optoelectronic and Electrical Properties of GaAs Microcrystals Grown from (001) Si Nano-areas
Autorzy:: Alvarez, José
Jaffré, A.
Renard, C.
Cherkasin, N.
Molière, T.
Vincent, L.
Hamouche, R.
Yam, V.
Fossard, F.
Kleider, J. P.
Mencaraglia, D.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Nano-Structures for Optics and Photonics : Optical Strategies for Enhancing Sensing, Imaging, Communication and Energy Conversion. :485-486

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: CESAR: Cryogenic Electronics for Space Applications
Autorzy:: Revéret, V.
de la Broïse, X.
Fermon, C.
Pannetier-Lecoeur, M.
Pigot, C.
Rodriguez, L.
Sauvageot, J.-L.
Jin, Y.
Marnieros, S.
Bouchier, D.
Putzeys, J.
Long, Y.
Kiss, C.
Kiraly, S.
Barbera, M.
Lo Cicero, U.
Brown, P.
Carr, C.
Whiteside, B.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Low Temperature Physics. August 2014 176(3-4):446-452

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Lateral growth of monocrystalline Ge on silicon oxide by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
Autorzy:: Cammilleri, V.D.
Yam, V.
Fossard, F.
Renard, C.
Bouchier, D.
Zheng, Y.
Fazzini, P.F.
Houdellier, F.
Hÿtch, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science in Semiconductor Processing 2008 11(5):214-216

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Selective Si growth on partially desorbed SiO 2/Si(001) surfaces
Autorzy:: Nguyen, L.H.
Renard, C.
Yam, V.
Fossard, F.
Débarre, D.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures 2008 44(4):348-353

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Localized laser thermal annealing of nanometric SiGe layers protected by a dielectric Bragg mirror
Autorzy:: Cammilleri, D.
Fossard, F.
Halbwax, M.
Manh, C. Tran
Yam, N.
Débarre, D.
Boulmer, J.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2008 517(1):327-330

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Highly doped Si and Ge formed by GILD (gas immersion laser doping); from GILD to superconducting silicon
Autorzy:: Cammilleri, D.
Fossard, F.
Débarre, D.
Tran Manh, C.
Dubois, C.
Bustarret, E.
Marcenat, C.
Achatz, P.
Bouchier, D.
Boulmer, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2008 517(1):75-79

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Germanium-based nanophotonic devices: Two-dimensional photonic crystals and cavities
Autorzy:: Boucaud, P.
El Kurdi, M.
David, S.
Checoury, X.
Li, X.
Ngo, T.-P.
Sauvage, S.
Bouchier, D.
Fishman, G.
Kermarrec, O.
Campidelli, Y.
Bensahel, D.
Akatsu, T.
Richtarch, C.
Ghyselen, B.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2008 517(1):121-124

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Ge growth over thin SiO 2 by UHV–CVD for MOSFET applications
Autorzy:: Renard, C.
Halbwax, M.
Cammilleri, D.
Fossard, F.
Yam, V.
Bouchier, D.
Zheng, Y.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2008 517(1):401-403

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Epitaxial growth of Ge on a thin SiO 2 layer by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
Autorzy:: Halbwax, M.
Renard, C.
Cammilleri, D.
Yam, V.
Fossard, F.
Bouchier, D.
Zheng, Y.
Rzepka, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 2007 308(1):26-29

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Comments on the article: 'Enhancing the photovoltaic effect in the infrared region by germanium quantum dots inserted in the intrinsic region of a silicon p-i-n diode with nanostructure' by H. M. Tawancy (Journal of Materials Science DOI: 10.1007/s10853-011-5728-9)
Autorzy:: Bouchier, D. daniel.bouchier@ief.u-psud.fr
Aboelfotoh, O.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science. Jan2012, Vol. 47 Issue 1, p100-103. 4p. 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Kinetics of selective epitaxial growth of Si and relaxed Ge by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition in Si(0 0 1) windows
Autorzy:: Halbwax, M.
Nguyen, Lam H.
Fossard, Frédéric
Le Roux, X.
Mathet, V.
Yam, V.
Cao, Dao Tran
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(4):460-464

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Influence of point defects on the optical properties of self-assembled Ge/Si hut clusters
Autorzy:: Nguyen-Duc, T.K.
Le Thanh, V.
Yam, V.
Boucaud, P.
Bouchier, D.
Schmidt, O.G.
Derrien, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2006 508(1):207-212

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Si-based two-dimensional photonic crystals coupled to one-dimensional Bragg mirrors
Autorzy:: Li, X.
Boucaud, P.
Checoury, X.
El Kurdi, M.
David, S.
Sauvage, S.
Yam, N.
Fossard, F.
Bouchier, D.
Fédéli, J.M.
Calvo, V.
Hadji, E.
Salomon, A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Luminescence 2006 121(2):286-289

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: UHV-CVD growth and annealing of thin fully relaxed Ge films on (0 0 1)Si
Autorzy:: Halbwax, M.
Rouviere, M.
Zheng, Y.
Debarre, D.
Nguyen, Lam H.
Cercus, J-L.
Clerc, C.
Yam, V.
Laval, S.
Cassan, E.
Bouchier, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Optical Materials 2005 27(5):822-826

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Bouchier, D."" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji