Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Dvoretskii, S. A."" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Investigation of Characteristics of MIS Structures Based on MBE n-HgCdTe NBνN Barrier Structures by Admittance Spectroscopy
Autorzy:
Voitsekhovskii, A. V.Aff1, IDS1064226923090279_cor1
Dzyadukh, S. M.
Gorn, D. I.Aff1, IDS1064226923090279_cor3
Dvoretskii, S. A.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.Aff1, Aff2
Sidorov, G. Yu.Aff1, Aff2
Yakushev, M. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Communications Technology and Electronics. 68(9):1036-1039
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Express Characterization of the HgCdTe/CdHgTe Quantum Well Waveguide Heterostructures with the Quasi-Relativistic Carrier Dispersion Law by Room-Temperature Photoluminescence Spectroscopy
Autorzy:
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Utochkin, V. V.
Rumyantsev, V. V.
Fadeev, M. A.
Razova, A. A.
Aleshkin, V. Ya.
Gavrilenko, V. I.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. 47(2):154-157
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Effects of the Electron—Electron Interaction in the Magneto-Absorption Spectra of HgTe/CdHgTe Quantum Wells with an Inverted Band Structure
Autorzy:
Bovkun, L. S.Aff1, Aff2
Ikonnikov, A. V.
Krishtopenko, S. S.
Aleshkin, V. Ya.
Zholudev, M. S.
Ruffenach, S.
Consejo, C.
Teppe, F.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Potemski, M.
Orlita, M.
Gavrilenko, V. I.Aff1, Aff6
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 112(8):508-512
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window
Autorzy:
Kushkov, L. A.Aff1, Aff2
Utochkin, V.V.Aff1, Aff2
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Gavrilenko, V. I.
Kulikov, N. S.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.
Rumyantsev, V. V.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Razova, A. A.Aff1, Aff2
Morozov, S. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 54(10):1365-1370
Czasopismo naukowe
Tytuł:
The Effect of As Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films
Autorzy:
Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M.
Varavin, V. S.
Dvoretskii, S. A.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.Aff1, Aff2
Sidorov, G. Yu.Aff1, Aff2
Yakushev, M. V.
Marin, D. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. 47(2):189-192
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range
Autorzy:
Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Maremyanin, K. V.Aff1, Aff2
Razova, A. A.Aff1, Aff2
Sergeev, S. M.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Gavrilenko, V. I.Aff1, Aff2
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 54(9):1096-1102
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE
Autorzy:
Izhnin, I. I.Aff1, Aff2
Fitsych, O. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Korotaev, A. G.
Mynbaev, K. D.
Kurbanov, K. R.
Varavin, V. S.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Yakushev, M. V.
Bonchyk, O. Yu.
Savytskyy, H. V.
Świątek, Z.
Morgiel, J.
Pokaż więcej
Źródło:
Russian Physics Journal. 63(2):290-295
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Possibilities of Characterizing the Crystal Parameters of CdxHg1 – xTe Structures on GaAs Substrates by the Method of Generation of the Probe-Radiation Second Harmonic in Reflection Geometry
Autorzy:
Stupak, M. F.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.Aff2, Aff3
Dvoretskii, S. A.Aff3, Aff4
Yakushev, M. V.
Ikusov, D. G.
Makarov, S. N.
Elesin, A. G.
Verkhoglyad, A. G.
Pokaż więcej
Źródło:
Physics of the Solid State. 62(2):252-259
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies