Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Troshkov, S. I."" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 176
Tytuł:
Simulation and Analysis of the Optical Characteristics of Cylindrical Micropillars with InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:
Bobrov, M. A.Aff1, Aff2, IDS0021364022800207_cor1
Blokhin, S. A.
Maleev, N. A.
Kuz’menkov, A. G.
Blokhin, A. A.
Vasil’ev, A. P.
Guseva, Yu. A.
Rakhlin, M. V.
Galimov, A. I.
Serov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Ustinov, V. M.
Toropov, A. A.
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 116(9):613-618
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
InAlAs/InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors with a Composite Channel and Higher Breakdown Characteristics
Autorzy:
Maleev, N. A.Aff1, Aff2
Vasil’ev, A. P.
Kuzmenkov, A. G.
Bobrov, M. A.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Maleev, S. N.
Belyakov, V. A.
Petryakova, E. V.
Kudryashova, Yu. P.
Fefelova, E. L.
Makartsev, I. V.
Blokhin, S. A.
Ahmedov, F. A.
Egorov, A. V.
Fefelov, A. G.
Ustinov, V. M.Aff1, Aff2, Aff3
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. 45(11):1092-1096
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range
Autorzy:
Babichev, A. V.
Kryzhanovskaya, N. V.
Moiseev, E. I.
Gladyshev, A. G.
Karachinsky, L. Ya.
Novikov, I. I.
Blokhin, S. A.
Bobrov, M. A.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Egorov, A. Yu.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. September 2017 51(9):1127-1132
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
Autorzy:
Emtsev, V. V.
Zavarin, E. E.
Kozlovskii, M. A.
Kudoyarov, M. F.
Lundin, V. V.
Oganesyan, G. A.
Petrov, V. N.
Poloskin, D. S.
Sakharov, A. V.
Troshkov, S. I.
Shmidt, N. M.
V’yuginov, V. N.
Zybin, A. A.
Parnes, Ya. M.
Vidyakin, S. I.
Gudkov, A. G.
Chernyakov, A. E.
Kozlovskii, V. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. November 2016 42(11):1079-1082
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
A study of distributed dielectric bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range
Autorzy:
Blokhin, S. A.
Bobrov, M. A.
Kuzmenkov, A. G.
Blokhin, A. A.
Vasil’ev, A. P.
Guseva, Yu. A.
Kulagina, M. M.
Karpovsky, I. O.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Prasolov, N. D.
Brunkov, P. N.
Levitsky, V. S.
Lisak, V.
Maleev, N. A.
Ustinov, V. M.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. October 2016 42(10):1049-1053
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Laser generation at 1.3 μm in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping
Autorzy:
Blokhin, S. A.
Kryzhanovskaya, N. V.
Moiseev, E. I.
Bobrov, M. A.
Kuz’menkov, A. G.
Blokhin, A. A.
Vasil’ev, A. P.
Karpovskii, I. O.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Nevedomskii, V. N.
Nikitina, E. V.
Maleev, N. A.
Ustinov, V. M.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. October 2016 42(10):1009-1012
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture
Autorzy:
Bobrov, M. A.
Maleev, N. A.
Blokhin, S. A.
Kuzmenkov, A. G.
Vasil’ev, A. P.
Blokhin, A. A.
Guseva, Yu. A.
Kulagina, M. M.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Lysak, V.
Ustinov, V. M.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. October 2016 50(10):1390-1395
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Solar-blind Al x Ga1–x N (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
Autorzy:
Kuznetsova, N. V.
Nechaev, D. V.
Shmidt, N. M.
Karpov, S. Yu.
Rzheutskii, N. V.
Zemlyakov, V. E.
Kaibyshev, V. Kh.
Kazantsev, D. Yu.
Troshkov, S. I.
Egorkin, V. I.
Ber, B. Ya.
Lutsenko, E. V.
Ivanov, S. V.
Jmerik, V. N.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. June 2016 42(6):635-638
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 176

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies