Temat: "HOMOEPITAXY" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: 硫硒元素掺杂金刚石表面的生长位点研究.
Autorzy:: 简小刚
 张　毅
 梁晓伟
 姚文山; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: Growth Sites of Sulfur and Selenium Doped Diamond Surface.
Źródło:: Journal of Synthetic Crystals. Jun2023, Vol. 52 Issue 6, p1120-1127. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Twinning and homoepitaxy cooperation in the already rich growth morphology of CaCO3 polymorphs. I. Aragonite.
Autorzy:: Aquilano, Dino (AUTHOR)
Bruno, Marco (AUTHOR)
Ghignone, Stefano (AUTHOR)
Pastero, Linda (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Applied Crystallography. Dec2023, Vol. 56 Issue 6, p1630-1638. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Dual-Step Selective Homoepitaxy of Ge with Low Defect Density and Modulated Strain Based on Optimized Ge/Si Virtual Substrate.
Autorzy:: Xu, Buqing (AUTHOR)
Du, Yong (AUTHOR)
Wang, Guilei (AUTHOR)
Xiong, Wenjuan (AUTHOR)
Kong, Zhenzhen (AUTHOR)
Zhao, Xuewei (AUTHOR)
Miao, Yuanhao (AUTHOR)
Wang, Yijie (AUTHOR)
Lin, Hongxiao (AUTHOR)
Su, Jiale (AUTHOR)
Li, Ben (AUTHOR)
Wu, Yuanyuan (AUTHOR)
Radamson, Henry H. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). May2022, Vol. 15 Issue 10, p3594-3594. 13p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: 高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究.
Autorzy:: 王若铮
闫秀良
 彭博
 林芳
 魏强
 王宏兴; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: Homoepitaxial Boron Doped Single Crystal Diamond and Its Electrical Properties.
Źródło:: Journal of Synthetic Crystals. May2022, Vol. 51 Issue 5, p893-900. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Single [0001]-oriented zinc metal anode enables sustainable zinc batteries.
Autorzy:: Zhang, Xiaotan
Li, Jiangxu
Liu, Yanfen
Lu, Bingan
Liang, Shuquan
Zhou, Jiang; Pokaż więcej
Temat:: SCANNING transmission electron microscopy
HOMOEPITAXY
ELECTRIC batteries
METALS
Źródło:: Nature Communications; 3/28/2024, Vol. 15 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype.
Autorzy:: Mynbaeva, M. G. (AUTHOR)
Amelchuk, D. G. (AUTHOR)
Smirnov, A. N. (AUTHOR)
Nikitina, I. P. (AUTHOR)
Lebedev, S. P. (AUTHOR)
Davydov, V. Yu. (AUTHOR)
Lebedev, A. A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jun2023, Vol. 57 Issue 6, p305-309. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The effect of surface roughness of seed on the high-rate homoepitaxial growth of CVD single-crystal diamonds.
Autorzy:: Zhang, Yanyan (AUTHOR)
Zhang, Dongliang (AUTHOR)
Zhang, Libin (AUTHOR)
Yang, Bo (AUTHOR)
Shen, Shengnan (AUTHOR)
Gan, Zhiyin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jun2023, Vol. 129 Issue 6, p1-8. 8p. 1 Color Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Characterization of AlN Single Crystal Synthesized by the Physical Vapor Transport Method. (English)
Autorzy:: ZHOU Zhenxiang
CHEN Ning
LI Dan
SHI Shuangshuang
NI Daiqin
CHEN Jianrong
HUANG Cunxin
LI Rongzhen
WEI Huayang; Pokaż więcej
Temat:: SINGLE crystals
CRYSTAL defects
CRYSTAL growth
HOMOEPITAXY
VAPORS
RAMAN scattering
Źródło:: Journal of Synthetic Crystals; Dec2023, Vol. 52 Issue 12, p2196-2202, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Homoepitaxy Growth of High‐Quality AlN Film on MOCVD AlN Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
Autorzy:: Li, Chunpeng (AUTHOR)
Gao, Xiaodong (AUTHOR)
Wang, Xiaodan (AUTHOR)
Dong, Xiaoming (AUTHOR)
Zeng, Xionghui (AUTHOR)
Chen, Jiafan (AUTHOR)
Wang, Chuang (AUTHOR)
Wang, Luhua (AUTHOR)
Chen, Jingjing (AUTHOR)
Wei, Sida (AUTHOR)
Xu, Ke (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (B). Apr2023, Vol. 260 Issue 4, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Solution‐Processed Selective Area Homoepitaxial Growth of Suspended MAPbX3 (X = Cl, Br) Perovskite Micro‐Arrays.
Autorzy:: Zhang, Jinshuai (AUTHOR)
Li, Chun (AUTHOR)
Liang, Yin (AUTHOR)
Song, Jiepeng (AUTHOR)
Shang, Qiuyu (AUTHOR)
Zhao, Liyun (AUTHOR)
Tian, Huifeng (AUTHOR)
Liu, Lei (AUTHOR)
Zhang, Qing (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Functional Materials. 1/20/2023, Vol. 33 Issue 4, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Electrical Behavior of Vertical Pt/Au Schottky Diodes on GaN Homoepitaxy.
Autorzy:: Dagher, Maroun
Sonneville, Camille
Brémond, Georges
Planson, Dominique
Frayssinet, Eric
Cordier, Yvon
Haas, Helge
Iretki, Mohammed Reda
Buckley, Julien
Maurya, Vishwajeet
Charles, Matthew
Bluet, Jean-Marie; Pokaż więcej
Temat:: SCHOTTKY barrier
SCHOTTKY barrier diodes
HOMOEPITAXY
GALLIUM nitride
EPITAXIAL layers
ELECTRIC breakdown
STANDARD deviations
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN on bulk AlN substrates.
Autorzy:: Singhal, Jashan (AUTHOR)
Encomendero, Jimy (AUTHOR)
Cho, Yongjin (AUTHOR)
van Deurzen, Len (AUTHOR)
Zhang, Zexuan (AUTHOR)
Nomoto, Kazuki (AUTHOR)
Toita, Masato (AUTHOR)
Xing, Huili Grace (AUTHOR)
Jena, Debdeep (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: AIP Advances. Sep2022, Vol. 12 Issue 9, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: 29‐3: Exploring the Temperature Dependence of GaN‐on‐GaN Homoepitaxy Micro‐LEDs.
Autorzy:: Li, Zichun
Liu, Yibo
Feng, Feng
Zhanghu, Mengyuan
Kwok, Hoi Sing
Liu, Zhaojun; Pokaż więcej
Temat:: HOMOEPITAXY
SURFACE defects
THERMAL properties
SURFACE recombination
TEMPERATURE
Źródło:: SID Symposium Digest of Technical Papers; Jun2023, Vol. 54 Issue 1, p406-409, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: The Optimizing Effect of Nitrogen Flow Ratio on the Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Layers.
Autorzy:: Yuan, Weilong
Pei, Yicheng
Guo, Ning
Li, Yunkai
Zhang, Xiuhai
Liu, Xingfang; Pokaż więcej
Temat:: HOMOEPITAXY
TEMPERATURE distribution
EPITAXIAL layers
SURFACE roughness
DOPING agents (Chemistry)
Źródło:: Crystals (2073-4352); Jun2023, Vol. 13 Issue 6, p935, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Ultrathin DDR Films with Exceptionally High CO2 Flux and Uniformly Adjustable Orientations.
Autorzy:: Zhou, Ming (AUTHOR)
Yu, Liang (AUTHOR)
Hedlund, Jonas (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Functional Materials. 5/2/2022, Vol. 32 Issue 18, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Compliant substrate epitaxial MgZnO films using fluorphlogopite mica approaching homoepitaxy quality.
Autorzy:: Chen, Shanshan (AUTHOR)
Wang, Ning (AUTHOR)
Wang, Yao (AUTHOR)
Xie, Qingsong (AUTHOR)
Pan, Xinhua (AUTHOR)
He, Haiping (AUTHOR)
Wang, Fengzhi (AUTHOR)
Suo, Huan (AUTHOR)
Ye, Zhizhen (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Surface Science. Apr2024, Vol. 653, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Sn-mediated transformations on Si(111) surface: Reconstructions, Electromigration, Homoepitaxy.
Autorzy:: Petrov, A.S. (AUTHOR)
Rogilo, D.I. (AUTHOR)
Vergules, A.I. (AUTHOR)
Mansurov, V.G. (AUTHOR)
Sheglov, D.V. (AUTHOR)
Latyshev, A.V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Surface Science. Mar2024, Vol. 741, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Microwave hydrogen plasma etching on the laser-cut surface of single crystal diamond: Phases, etching morphology, stress evolution and the effect of etching on the subsequent homoepitaxial growth.
Autorzy:: Wei, Yongning (AUTHOR)
Gao, Jie (AUTHOR)
Zheng, Ke (AUTHOR)
Ma, Yong (AUTHOR)
Zhi, Jiaqi (AUTHOR)
Jia, Wenru (AUTHOR)
Zheng, Xin (AUTHOR)
Qu, Shuaiwu (AUTHOR)
Zhou, Bing (AUTHOR)
Yu, Shengwang (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Diamond & Related Materials. Mar2024, Vol. 143, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Morphology evolution of homoepitaxial growth of aluminum nitride by hydride vapor phase epitaxy.
Autorzy:: Sun, Kewei (AUTHOR)
Wang, Zaien (AUTHOR)
Wang, Shuang (AUTHOR)
Zhang, Song (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Feb2024, Vol. 627, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Optically pumped deep-UV multimode lasing in AlGaN double heterostructure grown by molecular beam homoepitaxy.
Autorzy:: van Deurzen, Len (AUTHOR)
Page, Ryan (AUTHOR)
Protasenko, Vladimir (AUTHOR)
Nomoto, Kazuki (AUTHOR)
Xing, Huili (AUTHOR)
Jena, Debdeep (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: AIP Advances. Mar2022, Vol. 12 Issue 3, p1-6. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""HOMOEPITAXY"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji