- Tytuł:
- Design impact on three gate Dynamic Flash Memory (3G_DFM) for long hole retention time and robust disturbance shield
- Autorzy:
- Temat:
-
Surrounding Gate Transistor (SGT)
GAA
FinFET
SOI
1T-DRAM
Capacitorless DRAM
Electric apparatus and materials. Electric circuits. Electric networks
TK452-454.4
Computer engineering. Computer hardware
TK7885-7895 - Źródło:
- Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 4, Iss , Pp 100054- (2023)
- Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2773064623000312; https://doaj.org/toc/2773-0646
- Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/df904d1b986e4b529f397be2a560af26  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe