Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-25 z 96
Tytuł:
Peculiarities of Behavior of Simplest Models of Nonlinear Elasticity Constructed Based on New Holonomic Tensor Measures.
Autorzy:
Klimov, E. S.
Brovko, G. L.
Pokaż więcej
Źródło:
Moscow University Mechanics Bulletin; Oct2023, Vol. 78 Issue 5, p119-127, 9p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates.
Autorzy:
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Klochkov, A. N.
Mozhaeva, M. O.
Pokaż więcej
Temat:
QUANTUM wells
INDIUM gallium arsenide
SUPERLATTICES
SURFACE morphology
MOLECULAR beam epitaxy
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE measurement
Źródło:
Russian Microelectronics; Jun2023, Vol. 52 Issue 3, p129-134, 6p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
X-ray Diffraction Analysis of the Structure In0.53Ga0.47As Films Grown on (100) and (111)A GaAs Substrates with a Metamorphic Buffer.
Autorzy:
Folomeshkin, M. S.
Volkovsky, Yu. A.
Prosekov, P. A.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Pushkarev, S. S.
Seregin, A. Yu.
Pisarevsky, Yu. V.
Blagov, A. E.
Kovalchuk, M. V.
Pokaż więcej
Temat:
X-ray diffraction
AUDITING standards
CRYSTAL structure
INDIUM gallium arsenide
GALLIUM arsenide
GALLIUM nitride films
Źródło:
Crystallography Reports; Jun2022, Vol. 67 Issue 3, p317-322, 6p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Transcriptional Activity of Some Genes Involved in Apoptosis in Patients with Vulvar Lichen Sclerosus.
Autorzy:
Klimov, E. A.
Sobolev, V. V.
Batashkov, N. A.
Kokaeva, Z. G.
Tretiakov, A. V.
Nevozinskaya, Z. A.
Korsunskaya, I. M.
Sukhova, T. N.
Evina, O. E.
Khashukoeva, A. Z.
Pokaż więcej
Temat:
LICHEN sclerosus et atrophicus
MYC oncogenes
UTERINE fibroids
GENES
COMORBIDITY
Źródło:
Bulletin of Experimental Biology & Medicine; Apr2022, Vol. 172 Issue 6, p734-737, 4p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Silicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Zaytsev, A. A.
Klochkov, A. N.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
SURFACE morphology
PHOTOLUMINESCENCE
AUDITING standards
POINT defects
EPITAXY
Źródło:
Semiconductors; Nov2020, Vol. 54 Issue 11, p1417-1423, 7p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
THz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures.
Autorzy:
Klochkov, A. N.
Klimov, E. A.
Solyankin, P. M.
Konnikova, M. R.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Shkurinov, A. P.
Galiev, G. B.
Pokaż więcej
Temat:
SUBMILLIMETER waves
ANTENNAS (Electronics)
OPTICAL pumping
RADIATION
PHOTOVOLTAIC power systems
Źródło:
Optics & Spectroscopy; Jul2020, Vol. 128 Issue 7, p1010-1017, 8p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Study of the Surface Morphology, Electrophysical Characteristics, and Photoluminescence Spectra of GaAs Epitaxial Films on GaAs(110) Substrates.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Zaitsev, A. A.
Pushkarev, S. S.
Klochkov, A. N.
Pokaż więcej
Temat:
SURFACE morphology
MOLECULAR beam epitaxy
AUDITING standards
PHOSPHORESCENCE spectroscopy
PHOTOLUMINESCENCE
ATOMIC force microscopy
MONOMOLECULAR films
Źródło:
Optics & Spectroscopy; Jul2020, Vol. 128 Issue 7, p877-884, 8p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat:
SUPERLATTICES
TRANSMISSION electron microscopy
MOLECULAR beam epitaxy
EPITAXY
Źródło:
Crystallography Reports; May2020, Vol. 65 Issue 3, p496-501, 6p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Effect of Functionalization on the Conductivity and Noise Characteristics of Arrays of Multiwall Carbon Nanotubes.
Autorzy:
Sergeev, V. A.
Klimov, E. S.
Frolov, I. V.
Pokaż więcej
Temat:
CARBON nanotubes
ANNEALING of metals
PINK noise
NOISE control
NOISE
GAUSSIAN distribution
Źródło:
Technical Physics; Aug2019, Vol. 64 Issue 8, p1155-1160, 6p, 2 Diagrams, 4 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111)A Substrate.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Trunkin, I. N.
Vasiliev, A. L.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat:
AUDITING standards
GALLIUM arsenide
ANTENNAS (Electronics)
MOTION picture distribution
CRYSTAL structure
Źródło:
Crystallography Reports; Mar2019, Vol. 64 Issue 2, p205-211, 7p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs:Si} Superlattices Grown by MBE on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Kopylov, V. B.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE
INTERFACIAL roughness
POINT defects
LOW temperatures
SUPERLATTICES
Źródło:
Semiconductors; Feb2019, Vol. 53 Issue 2, p246-254, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
An acrylic polymer composite with the inclusion of multiwall carbon nanotubes.
Autorzy:
Baganova, E. S.
Davydova, O. A.
Buzaeva, M. V.
Klimov, E. S.
Fomin, A. N.
Svetukhin, V. V.
Nishchev, K. N.
Pynenkov, A. A.
Pokaż więcej
Temat:
COMPOSITE materials
POLYMERS
MULTIWALLED carbon nanotubes
POLYMERIZATION
MICROHARDNESS
NANOTUBES
HYDROCHLORIC acid
Źródło:
International Polymer Science & Technology; 2018, Vol. 45 Issue 5, p213-216, 4p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Photoluminescence Studies of Si-Doped Epitaxial GaAs Films Grown on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates at Lowered Temperatures.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Pushkarev, S. S.
Maltsev, P. P.
Pokaż więcej
Temat:
PHOTOLUMINESCENCE
GALLIUM arsenide epitaxy
IMPURITY distribution in semiconductors
HETEROSTRUCTURES
SILICON crystallography
Źródło:
Semiconductors; Mar2018, Vol. 52 Issue 3, p376-382, 7p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Formation of Multiwall Carbon Nanotubes on Cylindrical Substrates in Synthesis by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition.
Autorzy:
Klimov, E. S.
Buzaeva, M. V.
Makarova, I. A.
Davydova, O. A.
D’yachkova, T. Yu.
Isaev, A. V.
Vaganova, E. S.
Fomin, A. N.
Svetukhin, V. V.
Pokaż więcej
Temat:
MULTIWALLED carbon nanotubes
METAL organic chemical vapor deposition
NANOSTRUCTURED materials
CHEMICAL vapor deposition
ELECTROCHEMICAL analysis
Źródło:
Russian Journal of Applied Chemistry; Feb2018, Vol. 91 Issue 2, p202-206, 5p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Epitaxial low-temperature growth of InGaAs films on GaAs(100) and GaAs(111) A substrates using a metamorphic buffer.
Autorzy:
Galiev, G.
Trunkin, I.
Klimov, E.
Klochkov, A.
Vasiliev, A.
Imamov, R.
Pushkarev, S.
Maltsev, P.
Pokaż więcej
Temat:
CRYSTALLOGRAPHY
GALLIUM arsenide transistors
DOPING agents (Chemistry)
SURFACE roughness
THIN films
Źródło:
Crystallography Reports; Nov2017, Vol. 62 Issue 6, p947-954, 8p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates.
Autorzy:
Galiev, G.
Klochkov, A.
Vasil'evskii, I.
Klimov, E.
Pushkarev, S.
Vinichenko, A.
Khabibullin, R.
Maltsev, P.
Pokaż więcej
Temat:
INDIUM gallium arsenide
INDIUM aluminum arsenide
QUANTUM wells
METALS -- Electron theory
DOPING agents (Chemistry)
INDIUM phosphide
Źródło:
Semiconductors; Jun2017, Vol. 51 Issue 6, p760-765, 6p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
X-ray analysis of multilayer InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures with InAs nanoinsert in quantum well.
Autorzy:
Blagov, A.
Galiev, G.
Imamov, R.
Klimov, E.
Kondratev, O.
Pisarevskii, Yu.
Prosekov, P.
Pushkarev, S.
Seregin, A.
Koval'chuk, M.
Pokaż więcej
Temat:
INDIUM aluminum arsenide
INDIUM gallium arsenide
MODULATION-doped field-effect transistors
HETEROSTRUCTURES
X-rays
QUANTUM wells
Źródło:
Crystallography Reports; May2017, Vol. 62 Issue 3, p355-363, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates.
Autorzy:
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Buriakov, A.
Bilyk, V.
Mishina, E.
Klimov, E.
Vasil'evskii, I.
Maltsev, P.
Pokaż więcej
Temat:
RADIOBIOLOGY
THERMISTORS
THERMAL properties
SUBMILLIMETER waves
FEMTOSECOND lasers
Źródło:
Semiconductors; Apr2017, Vol. 51 Issue 4, p503-508, 6p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates.
Autorzy:
Galiev, G.
Grekhov, M.
Kitaeva, G.
Klimov, E.
Klochkov, A.
Kolentsova, O.
Kornienko, V.
Kuznetsov, K.
Maltsev, P.
Pushkarev, S.
Pokaż więcej
Temat:
SUBMILLIMETER wave generation
INDIUM gallium arsenide films
LASER pumping
TIME-resolved spectroscopy
EPITAXY
Źródło:
Semiconductors; Mar2017, Vol. 51 Issue 3, p310-317, 8p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Influence of arsenic flow on the crystal structure of epitaxial GaAs grown at low temperatures on GaAs (100) and (111) A substrates.
Autorzy:
Galiev, G.
Klimov, E.
Vasiliev, A.
Imamov, R.
Pushkarev, S.
Trunkin, I.
Maltsev, P.
Pokaż więcej
Temat:
GALLIUM arsenide
ARSENIC
CRYSTAL structure
LOW temperatures
SUBSTRATES (Materials science)
MOLECULAR beam epitaxy
Źródło:
Crystallography Reports; Jan2017, Vol. 62 Issue 1, p82-90, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Methylation of the genes for the microRNAs miR-129-2 and miR-9-1, changes in their expression, and activation of their potential target genes in clear cell renal cell carcinoma.
Autorzy:
Pronina, I.
Klimov, E.
Burdennyy, A.
Beresneva, E.
Fridman, M.
Ermilova, V.
Kazubskaya, T.
Karpukhin, A.
Braga, E.
Loginov, V.
Pokaż więcej
Temat:
METHYLATION
MICRORNA
SQUAMOUS cell carcinoma
CHROMOSOMES
EPIGENETICS
Źródło:
Molecular Biology; Jan2017, Vol. 51 Issue 1, p61-71, 11p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content.
Autorzy:
Yuzeeva, N.
Sorokoumova, A.
Lunin, R.
Oveshnikov, L.
Galiev, G.
Klimov, E.
Lavruchin, D.
Kulbachinskii, V.
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRON mobility
INDIUM gallium arsenide
INDIUM aluminum arsenide
CRYSTAL structure
MOLECULAR beam epitaxy
Źródło:
Journal of Low Temperature Physics; Dec2016, Vol. 185 Issue 5/6, p701-706, 6p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
High-resolution X-ray diffractometry and transmission electron microscopy as applied to the structural study of InAlAs/InGaAs/InAlAs multilayer transistor nanoheterostructures.
Autorzy:
Galiev, G.
Klimov, E.
Imamov, R.
Ganin, G.
Pushkarev, S.
Maltsev, P.
Zhigalina, O.
Orekhov, A.
Vasil'ev, A.
Presniakov, M.
Trunkin, I.
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; May2016, Vol. 10 Issue 3, p495-509, 15p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-25 z 96

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies