Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Krasilnik, Z. F."" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-33 z 33
    Tytuł:
    Kinetics of the Luminescence Response of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislands Embedded in Two-Dimensional Photonic Crystals.
    Autorzy:
    Yablonskiy, A. N.
    Novikov, A. V.
    Stepikhova, M. V.
    Sergeev, S. M.
    Baidakova, N. A.
    Shaleev, M. V.
    Krasilnik, Z. F.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOTONIC crystals
    BRILLOUIN scattering
    ANALYTICAL mechanics
    BRILLOUIN zones
    RADIANT intensity
    LUMINESCENCE
    THERMOLUMINESCENCE
    Źródło:
    Semiconductors; Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1352-1359, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Enhancement of the Luminescence Signal from Self-Assembled Ge(Si) Nanoislands due to Interaction with the Modes of Two-Dimensional Photonic Crystals.
    Autorzy:
    Yurasov, D. V.
    Novikov, A. V.
    Dyakov, S. A.
    Stepikhova, M. V.
    Yablonskiy, A. N.
    Sergeev, S. M.
    Utkin, D. E.
    Krasilnik, Z. F.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOTONIC crystals
    LUMINESCENCE
    QUALITY factor
    ACTIVE medium
    BRILLOUIN zones
    LATTICE constants
    Źródło:
    Semiconductors; Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p975-981, 7p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates.
    Autorzy:
    Baidus, N. V.
    Aleshkin, V. Ya.
    Dubinov, A. A.
    Krasilnik, Z. F.
    Kudryavtsev, K. E.
    Nekorkin, S. M.
    Novikov, A. V.
    Rykov, A. V.
    Reunov, D. G.
    Shaleev, M. V.
    Yunin, P. A.
    Yurasov, D. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    GALLIUM arsenide transistors
    HETEROSTRUCTURES
    QUANTUM wells
    WAVELENGTHS
    SUBSTRATES (Materials science)
    Źródło:
    Semiconductors; Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1547-1550, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping.
    Autorzy:
    Rumyantsev, V. V.
    Fadeev, M. A.
    Aleshkin, V. Ya.
    Dubinov, A. A.
    Utochkin, V. V.
    Antonov, A. V.
    Ryzhov, D. A.
    Kuritsin, D. I.
    Gavrilenko, V. I.
    Krasilnik, Z. F.
    Sirtori, C.
    Teppe, F.
    Mikhailov, N. N.
    Dvoretsky, S. A.
    Morozov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    QUANTUM cascade lasers
    SEMICONDUCTOR lasers
    OPTICAL pumping
    COHERENT radiation
    STIMULATED emission
    Źródło:
    Journal of Infrared, Millimeter & Terahertz Waves; Jul2020, Vol. 41 Issue 7, p750-757, 8p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates.
    Autorzy:
    Novikov, A. V.
    Yurasov, D. V.
    Baidakova, N. A.
    Bushuykin, P. A.
    Andreev, B. A.
    Yunin, P. A.
    Drozdov, M. N.
    Yablonskiy, A. N.
    Kalinnikov, M. A.
    Krasilnik, Z. F.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOSPHORIMETRY
    COMPARATIVE studies
    PHOTOLUMINESCENCE
    POPULATION
    GERMANIUM films
    SOLUBILITY
    Źródło:
    Semiconductors; Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1318-1323, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Stimulated Emission in the 1.3-1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III-V Heterostructures on Silicon Substrates.
    Autorzy:
    Kudryatvsev, K. E.
    Dubinov, A. A.
    Aleshkin, V. Ya.
    Yurasov, D. V.
    Gorlachuk, P. V.
    Ryaboshtan, Yu. L.
    Marmalyuk, A. A.
    Novikov, A. V.
    Krasilnik, Z. F.
    Pokaż więcej
    Temat:
    STIMULATED emission
    EMISSIVITY
    QUANTUM wells
    HETEROSTRUCTURES
    SUBSTRATES (Materials science)
    Źródło:
    Semiconductors; Nov2018, Vol. 52 Issue 11, p1495-1499, 5p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate.
    Autorzy:
    Aleshkin, V. Ya.
    Baidus, N. V.
    Vikhrova, O. V.
    Dubinov, A. A.
    Zvonkov, B. N.
    Krasilnik, Z. F.
    Kudryavtsev, K. E.
    Nekorkin, S. M.
    Novikov, A. V.
    Rykov, A. V.
    Samartsev, I. V.
    Yurasov, D. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    WAVELENGTHS
    INDIUM gallium arsenide
    QUANTUM wells
    STIMULATED emission
    VAPOR phase epitaxial growth
    Źródło:
    Technical Physics Letters; Aug2018, Vol. 44 Issue 8, p735-738, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature.
    Autorzy:
    Lobanov, D. N.
    Novikov, A. V.
    Kudryavtsev, K. E.
    Shengurov, D. V.
    Drozdov, Yu. N.
    Yablonskiy, A. N.
    Shmagin, V. B.
    Krasilnik, Z. F.
    Zakharov, N. D.
    Werner, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    ELECTROLUMINESCENCE
    ANNEALING of metals
    ELECTRIC properties of silicon
    QUANTUM efficiency
    PHOTONS
    Źródło:
    Semiconductors; Mar2009, Vol. 43 Issue 3, p313-317, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate.
    Autorzy:
    Smagina, Zh. V. (AUTHOR)
    Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
    Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
    Peretokin, A. V. (AUTHOR)
    Dyakov, S. A. (AUTHOR)
    Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p101-106. 6p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs.
    Autorzy:
    Sushkov, A. A. (AUTHOR)
    Pavlov, D. A. (AUTHOR)
    Andrianov, A. I. (AUTHOR)
    Shengurov, V. G. (AUTHOR)
    Denisov, S. A. (AUTHOR)
    Chalkov, V. Yu. (AUTHOR)
    Kriukov, R. N. (AUTHOR)
    Baidus, N. V. (AUTHOR)
    Yurasov, D. V. (AUTHOR)
    Rykov, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p122-133. 12p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Effect of Internal Optical Losses on the Generation of Mid-IR Stimulated Emission in Waveguide Heterostructures with HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells.
    Autorzy:
    Utochkin, V. V. (AUTHOR)
    Dubinov, A. A. (AUTHOR)
    Fadeev, M. A. (AUTHOR)
    Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
    Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
    Dvoretsky, S. A. (AUTHOR)
    Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
    Morozov, S. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Dec2021, Vol. 55 Issue 12, p899-902. 4p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities.
    Autorzy:
    Yurasov, D. V. (AUTHOR)
    Baídakova, N. A. (AUTHOR)
    Verbus, V. A. (AUTHOR)
    Gusev, N. S. (AUTHOR)
    Morozova, E. E. (AUTHOR)
    Shengurov, D. V. (AUTHOR)
    Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p531-536. 6p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates.
    Autorzy:
    Rykov, A. V. (AUTHOR)
    Kryukov, R. N. (AUTHOR)
    Samartsev, I. V. (AUTHOR)
    Yunin, P. A. (AUTHOR)
    Shengurov, V. G. (AUTHOR)
    Zaitsev, A. V. (AUTHOR)
    Baidus', N. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Technical Physics Letters. May2021, Vol. 47 Issue 5, p413-416. 4p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window.
    Autorzy:
    Kushkov, L. A. (AUTHOR)
    Utochkin, V.V. (AUTHOR)
    Aleshkin, V. Ya. (AUTHOR)
    Dubinov, A. A. (AUTHOR)
    Kudryavtsev, K. E. (AUTHOR)
    Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
    Kulikov, N. S. (AUTHOR)
    Fadeev, M. A. (AUTHOR)
    Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
    Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
    Dvoretskii, S. A. (AUTHOR)
    Razova, A. A. (AUTHOR)
    Morozov, S. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1365-1370. 6p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range.
    Autorzy:
    Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
    Maremyanin, K. V. (AUTHOR)
    Razova, A. A. (AUTHOR)
    Sergeev, S. M. (AUTHOR)
    Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
    Dvoretskii, S. A. (AUTHOR)
    Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
    Morozov, S. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1096-1102. 7p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals.
    Autorzy:
    Smagina, Zh. V. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
    Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
    Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
    Nenashev, A. V. (AUTHOR)
    Sergeev, S. M. (AUTHOR)
    Peretokin, A. V. (AUTHOR)
    Kuchinskaya, P. A. (AUTHOR)
    Shaleev, M. V. (AUTHOR)
    Gusev, S. A. (AUTHOR)
    Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p853-859. 7p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics.
    Autorzy:
    Yurasov, D. V. (AUTHOR)
    Baidakova, N. A. (AUTHOR)
    Verbus, V. A. (AUTHOR)
    Gusev, N. S. (AUTHOR)
    Mashin, A. I. (AUTHOR)
    Morozova, E. E. (AUTHOR)
    Nezhdanov, A. V. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Skorohodov, E. V. (AUTHOR)
    Shengurov, D. V. (AUTHOR)
    Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1324-1328. 5p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals.
    Autorzy:
    Smagina, Zn. V. (AUTHOR)
    Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
    Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
    Fomin, B. I. (AUTHOR)
    Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
    Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
    Gusev, S. A. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1329-1333. 5p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers.
    Autorzy:
    Andreev, B. A. (AUTHOR)
    Lobanov, D. N. (AUTHOR)
    Krasil'nikova, L. V. (AUTHOR)
    Bushuykin, P. A. (AUTHOR)
    Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Davydov, V. Yu. (AUTHOR)
    Yunin, P. A. (AUTHOR)
    Kalinnikov, M. I. (AUTHOR)
    Skorohodov, E. V. (AUTHOR)
    Krasil'nik, Z. F. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1357-1362. 6p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate.
    Autorzy:
    Sushkov, A. A. (AUTHOR)
    Pavlov, D. A. (AUTHOR)
    Shengurov, V. G. (AUTHOR)
    Denisov, S. A. (AUTHOR)
    Chalkov, V. Yu. (AUTHOR)
    Baidus, N. V. (AUTHOR)
    Rykov, A. V. (AUTHOR)
    Kryukov, R. N. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1242-1245. 4p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium.
    Autorzy:
    Yurasov, D. V. (AUTHOR)
    Baidakova, N. A. (AUTHOR)
    Drozdov, M. N. (AUTHOR)
    Morozova, E. E. (AUTHOR)
    Kalinnikov, M. A. (AUTHOR)
    Novikov, A. V. (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Jul2019, Vol. 53 Issue 7, p882-886. 5p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Scanning Probe Microscopy in Practical Diagnostic: 3D Topography Imaging and Nanometrology.
    Autorzy:
    Lytvyn, Petro M.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Functional Nanomaterials & Devices for Electronics, Sensors & Energy Harvesting; 2014, p179-219, 41p
    Książka
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-33 z 33

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies