- Tytuł:
- 32 nm node BEOL integration with an extreme low- k porous SiOCH dielectric k = 2.3
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 2010 87(3):316-320
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.