- Tytuł:
- Selective epitaxial growth of SiGe:C for high speed HBTs
- Autorzy:
- Źródło:
- In Applied Surface Science 2004 224(1):18-23
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.