Temat: "high electron mobility transistor" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Cryogenic Resonant Amplifier for Electron-on-Helium Image Charge Readout
Autorzy:: Belianchikov, MikhailAff1, IDs10909023030336_cor1
Kraus, Jakob A.
Konstantinov, Denis; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Low Temperature Physics. :1-12

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigation of Noise Properties in the InP HEMT for LNAs in Qubit Amplification: Effects From Channel Indium Content
Autorzy:: Junjie Li
Johan Bergsten
Arsalan Pourkabirian
Jan Grahn; Pokaż więcej
Temat:: Drain noise temperature
InP high-electron-mobility transistor (HEMT)
indium channel
low-noise amplifier (LNA)
qubit amplification
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 243-248 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10454583/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6ab426f8d1854ca4955498db08225d60 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Degradation Mechanisms of Gate Leakage in GaN-Based HEMTs at Low Dose Rate Irradiation
Autorzy:: Xiaolong Li
Xin Wang
Mohan Liu
Kunfeng Zhu
Guohua Shui
Qiwen Zheng
Jiangwei Cui
Wu Lu
Yudong Li
Qi Guo; Pokaż więcej
Temat:: p-GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)
low dose rate irradiation
gate leakage
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 35410-35416 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10443472/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/5e137cc1f052421786d1919f9d516eda Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor
Autorzy:: Tsunvaza, D.Aff1, IDS1063739723700415_cor1
Ryzhuk, R. V.
Vasil’evskii, I. S.
Kargin, N. I.
Klokov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. 52(3):160-166

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: MODIFICATION OF SILICON NITRIDE LAYERS BY THE LOW-TEMPERATURE ANNEAL IN ALGAN/SICBASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS.
Autorzy:: Evseenkov, Anton
Tichomirov, Vladimir
Tarasov, Sergey; Pokaż więcej
Źródło:: Smart Nanocomposites. 2018, Vol. 8 Issue 2, p155-160. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: A 28 GHz GaN 6-Bit Phase Shifter MMIC with Continuous Tuning Calibration Technique
Autorzy:: Soyeon Seo
Jinho Lee
Yongho Lee
Hyunchol Shin; Pokaż więcej
Temat:: phase shifter
phase calibration technique
gallium nitride (GaN)
high electron mobility transistor (HEMT)
28 GHz
Chemical technology
TP1-1185
Źródło:: Sensors, Vol 24, Iss 4, p 1087 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/1424-8220/24/4/1087; https://doaj.org/toc/1424-8220
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/8b263b1e6bf94554b401aaf73841ca77 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Demonstration of N-Polar GaN MIS-HEMT with High-k Atomic Layer Deposited HfO2 as Gate Dielectric
Autorzy:: Mohanty, SubhajitAff1, IDs11664023102222_cor1
Jian, Zhe
Khan, Kamruzzaman
Ahmadi, ElahehAff1, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 52(4):2596-2602

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Localized buried P-doped region for E-mode GaN MISHEMTs
Autorzy:: Hamady, SaleemAff1, IDs1082502201990x_cor1
Morancho, Frederic
Beydoun, Bilal; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Computational Electronics. 22(1):190-198

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: A Low Noise Amplifier with 27 dB Gain and 1.78 dB Noise for Satellite Communications with 0.1 µm GaAs pHEMT Technology
Autorzy:: Lakshmi Balla
Venkata Krishna Sharma Gollakota; Pokaż więcej
Temat:: gallium arsenide (GaAs)
inductive source degeneration
common source topology
pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT)
low noise amplifier
radio frequency (RF)
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Technology (General)
T1-995
Information technology
T58.5-58.64
Źródło:: Engineering, Technology & Applied Science Research, Vol 13, Iss 5 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.etasr.com/index.php/ETASR/article/view/6264; https://doaj.org/toc/2241-4487; https://doaj.org/toc/1792-8036
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/05446b3567b94574b0a094b64023c44a Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Sub-THz Imaging Using Non-Resonant HEMT Detectors.
Autorzy:: Delgado-Notario, Juan A.
Velazquez-Perez, Jesus E.
Meziani, Yahya M.
Fobelets, Kristel; Pokaż więcej
Źródło:: Sensors (14248220). Feb2018, Vol. 18 Issue 2, p1-15. 15p. 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Low-Noise High-Gain Large-Bandwidth Transimpedance Amplifier with Cascode-Type Preamplifier for Cryogenic STM
Autorzy:: Liang, Ying-XinAff1, IDs10909022028550_cor1; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Low Temperature Physics. 210(1-2):357-375

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Double Gate Double-Channel AlGaN/GaN MOS HEMT and its Applications to LNA with Sub-1 dB Noise Figure
Autorzy:: Vadizadeh, MahdiAff1, IDs1263302202083x_cor1
Fallahnejad, Mohammad
Shaveisi, Maryam
Ejlali, Reyhaneh
Bajelan, Farshad; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 15(2):1093-1103

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Optimization of Gate-Head-Top/Bottom Lengths of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with a Gate-Recessed Structure for High-Power Operations: A Simulation Study
Autorzy:: Woo-Seok Kang
Jun-Hyeok Choi
Dohyung Kim
Ji-Hun Kim
Jun-Ho Lee
Byoung-Gue Min
Dong Min Kang
Jung Han Choi
Hyun-Seok Kim; Pokaż więcej
Temat:: gallium nitride
high-electron-mobility transistor
gate-head
gate-recessed
breakdown voltage
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:: Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 57 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2072-666X/15/1/57; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/e86c61714af2488490777364a675ffd0 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Review on Main Gate Characteristics of P-Type GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors
Autorzy:: Zhongxu Wang
Jiao Nan
Zhiwen Tian
Pei Liu
Yinhe Wu
Jincheng Zhang; Pokaż więcej
Temat:: gallium nitride
threshold voltage
gate-breakdown voltage
breakdown field
p-type doped gallium nitride high-electron-mobility transistor (p-GaN HEMT)
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:: Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 80 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2072-666X/15/1/80; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/d89fb8f0b35b446d84c98429a58c4700 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Combined Pulse Data Transmission and Indoor Localization Using 60-GHz-UWB MMIC Technology
Autorzy:: Christophe Loyez
Michael Bocquet
Nathalie Rolland
Kamel Haddadi; Pokaż więcej
Temat:: Impulse system
millimeter wave
pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT)
time difference of arrival (TDOA)
ultrawide band (UWB)
Instruments and machines
QA71-90
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Open Journal of Instrumentation and Measurement, Vol 2, Pp 1-7 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10177811/; https://doaj.org/toc/2768-7236
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/d524fa6b730142d0808d17c744e5a605 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: An ASM-HEMT for Large-Signal Modeling of GaN HEMTs in High-Temperature Applications
Autorzy:: Nicholas C. Miller
Alexis Brown
Michael Elliott
Ryan Gilbert
Devin T. Davis
Ahmad E. Islam
Dennis Walker
Gary Hughes
Kyle Liddy
Kelson D. Chabak; Pokaż więcej
Temat:: Gallium nitride
high electron mobility transistor
high temperature
ASM-HEMT
load pull
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 531-538 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10268042/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/5652d6efb28e435ba8a596cb3791a18a Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: A Survey of GaN HEMT Technologies for Millimeter-Wave Low Noise Applications
Autorzy:: Nicholas C. Miller
Andrea Arias-Purdue
Erdem Arkun
David Brown
James F. Buckwalter
Robert L. Coffie
Andrea Corrion
Daniel J. Denninghoff
Michael Elliott
Dave Fanning
Ryan Gilbert
Daniel S. Green
Florian Herrault
Ben Heying
Casey M. King
Eythan Lam
Jeong-Sun Moon
Petra V. Rowell
Georges Siddiqi
Ioulia Smorchkova
Joe Tai
Jansen Uyeda
Mike Wojtowicz; Pokaż więcej
Temat:: Gallium nitride (GaN)
high electron mobility transistor (HEMT)
noise parameters
low noise amplifier
Telecommunication
TK5101-6720
Electric apparatus and materials. Electric circuits. Electric networks
TK452-454.4
Źródło:: IEEE Journal of Microwaves, Vol 3, Iss 4, Pp 1134-1146 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10260709/; https://doaj.org/toc/2692-8388
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/5804e21f09df408e99c176f577a6bee9 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Scalable Small Signal and Noise Modeling of InP HEMT for THz Application
Autorzy:: Ao Zhang
Jianjun Gao; Pokaż więcej
Temat:: Equivalent circuit model
high electron mobility transistor
semiconductor device modeling
parameter extraction
noise modeling
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 347-353 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10147218/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/539e39c28d5d4c12b3f2ad547d3a3da4 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Accurate and Effective Nonlinear Behavioral Modeling of a 10-W GaN HEMT Based on LSTM Neural Networks
Autorzy:: Mingqiang Geng
Giovanni Crupi
Jialin Cai; Pokaż więcej
Temat:: Behavioral modeling
black box model
gallium nitride (GaN)
high-electron-mobility transistor (HEMT)
long-short term memory (LSTM)
microwave frequency
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 11, Pp 27267-27279 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10075428/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/30ccd858eaca4ae38da88d799de21a95 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: 24.4 W/mm X-Band GaN HEMTs on AlN Substrates With the LPCVD-Grown High-Breakdown-Field SiNx Layer
Autorzy:: Junji Kotani
Junya Yaita
Kenji Homma
Shirou Ozaki
Atsushi Yamada
Masaru Sato
Toshihiro Ohki
Norikazu Nakamura; Pokaż więcej
Temat:: AlN
GaN
high-electron-mobility transistor (HEMT)
SiN
high breakdown
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 101-106 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10012041/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/579d0f3250cb4141af3604f80d5ed5d0 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""high electron mobility transistor"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji