Temat: "insulated gate bipolar transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: An improved POD-Galerkin method for rapid prediction of three-dimensional temperature field for an IGBT module.
Autorzy:: Feng, Xiang-You (AUTHOR)
Bai, Fan (AUTHOR)
Ding, Hao (AUTHOR)
Tao, Wen-Quan (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Communications in Heat & Mass Transfer. Mar2024, Vol. 152, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Condition monitoring of IGBT modules using online TSEPs and data‐driven approach.
Autorzy:: Kurukuru, Varaha Satya Bharath (AUTHOR)
Haque, Ahteshamul (AUTHOR)
Tripathi, Arun Kumar (AUTHOR)
Khan, Mohammed Ali (AUTHOR); Pokaż więcej
Temat:: *Electric power failures
Insulated gate bipolar transistors
Vector data
Strains & stresses (Mechanics)
Failure mode & effects analysis
Źródło:: International Transactions on Electrical Energy Systems. Aug2021, Vol. 31 Issue 8, p1-24. 24p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A High-Precision Adaptive Thermal Network Model for Monitoring of Temperature Variations in Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules.
Autorzy:: An, Ning
Du, Mingxing
Hu, Zhen
Wei, Kexin; Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Mar2018, Vol. 11 Issue 3, p595. 16p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: A Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor with Embedded Self-biased N-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor.
Autorzy:: Wu, Lijuan
Zhang, Banghui
Deng, Gaoqiang
Song, Xuanting
Liu, Heng
Liu, Qing
Qiu, Tao; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
BIPOLAR transistors
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
INSULATED gate bipolar transistors
METAL oxide semiconductor capacitors
BREAKDOWN voltage
HIGH voltages
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Mar2023, Vol. 52 Issue 3, p2177-2184, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Machine Learning Algorithm for Efficient Design of Separated Buffer Super-Junction IGBT.
Autorzy:: Kim, Ki Yeong
Hwang, Tae Hyun
Song, Young Suh
Kim, Hyunwoo
Kim, Jang Hyun; Pokaż więcej
Temat:: MACHINE learning
INSULATED gate bipolar transistors
REVERSE engineering
POWER electronics
BUFFER layers
Źródło:: Micromachines; Feb2023, Vol. 14 Issue 2, p334, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: A Fast-Acting Diagnostic Algorithm of Insulated Gate Bipolar Transistor Open Circuit Faults for Power Inverters in Electric Vehicles.
Autorzy:: Lei Yu
Youtong Zhang
Wenqing Huang
Khaled Teffah; Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Apr2017, Vol. 10 Issue 4, p552. 16p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Numerical analysis of an ultralow switching loss IGBT with super junction and blocking junction.
Autorzy:: Zhao, Shu (AUTHOR)
Feng, Quanyuan (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Journal. Dec2023, Vol. 142, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Study on structure optimization of a dual IGBT module heat sink in a DC–DC converter under natural convection based on field synergy theory.
Autorzy:: Li, Guangyi (AUTHOR)
Zhang, Junhong (AUTHOR)
Gao, Jianxin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: IEEJ Transactions on Electrical & Electronic Engineering. Oct2019, Vol. 14 Issue 10, p1524-1531. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Uneven temperature effect evaluation in high-power IGBT inverter legs and relative test platform design.
Autorzy:: Luo, Haoze
Li, Wuhua
He, Xiangning
Iannuzzo, Francesco
Blaabjerg, Frede; Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Sep2017, Vol. 76, p123-130. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: A health state prediction method of traction converter IGBT based on optimized particle filter.
Autorzy:: Shi, Yunming (AUTHOR)
Ai, Yu (AUTHOR)
Chen, Shaoyong (AUTHOR)
Zhang, Chenyang (AUTHOR)
Liu, Jianqiang (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Dec2022, Vol. 139, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Monitoring chip fatigue in an IGBT module based on grey relational analysis.
Autorzy:: Zhou, Shengqi
Zhou, Luowei
Yu, Litao
Liu, Sucheng
Luo, Quanming
Sun, Pengju
Wu, Junke; Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Jan2016, Vol. 56, p49-52. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Investigation of pre-bending substrate design in packaging assembly of an IGBT power module.
Autorzy:: Lee, Chang-Chun
Kao, Kuo-Shu
Lin, Leon
Chang, Jing-Yao
Leu, Fang-Jun
Lu, Yu-Lan
Chang, Tao-Chih; Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronic Engineering. May2014, Vol. 120, p106-113. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Observation of photoemission behaviour during avalanche breakdown of insulated gate bipolar transistor with defect in the metal contact.
Autorzy:: Endo, Koichi (AUTHOR)
Hongo, Chie (AUTHOR)
Chinone, Norimichi (AUTHOR)
Nakamura, Tomonori (AUTHOR)
Matsumoto, Toru (AUTHOR)
Nakamae, Koji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Oct2021, Vol. 125, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: An investigation on IGBT junction temperature estimation using online regression method.
Autorzy:: Liu, Li (AUTHOR)
Du, Changhong (AUTHOR)
Peng, Qianlei (AUTHOR)
Chen, Jian (AUTHOR)
Wang, Yang (AUTHOR)
Chen, Yang (AUTHOR)
Peng, Zhiyuan (AUTHOR)
Jiang, Huaping (AUTHOR)
Ran, Li (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Sep2021, Vol. 124, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Prediction of Static Characteristic Parameters of an Insulated Gate Bipolar Transistor Using Artificial Neural Network.
Autorzy:: Yao, Qing
Guo, Yufeng
Zhang, Bo
Chen, Jing
Zhang, Jun
Zhang, Maolin
Guo, Xiaobo
Yao, Jiafei
Tang, Weihua
Liu, Jianhua; Pokaż więcej
Temat:: INSULATED gate bipolar transistors
ARTIFICIAL neural networks
BREAKDOWN voltage
TRANSISTORS
THRESHOLD voltage
Źródło:: Micromachines; Jan2022, Vol. 13 Issue 1, p4-4, 1p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Limitation of switching-self-clamping-mode "SSCM" in high voltage IGBTs.
Autorzy:: Wang, Cailin (AUTHOR)
Yang, Wuhua (AUTHOR)
Yang, Jing (AUTHOR)
Zhang, Lei (AUTHOR)
Zhang, Ruliang (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. May2019, Vol. 96, p1-6. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: VLSI-cell placement technique for Architecture of Field Programmable Gate Array (FPGA) design.
Autorzy:: VERMA, Avnesh
DHINGRA, Sunil
SONI, M. K.; Pokaż więcej
Temat:: VERY large scale circuit integration
FIELD programmable gate arrays
PROGRAMMABLE logic devices
COMPUTER software
PROGRAMMING languages
PULSE width modulation
INSULATED gate bipolar transistors
Źródło:: Turkish Journal of Electrical Engineering & Computer Sciences; 2009, Vol. 17 Issue 3, p327-335, 9p, 2 Color Photographs, 7 Diagrams, 5 Charts

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""insulated gate bipolar transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji